结势垒控制肖特基二极管终端及方法

摘要

结势垒控制肖特基二极管终端及方法，属于半导体器件终端技术领域。现有结势垒控制肖特基二极管有关斜场板这一终端是单阶斜场板，其降低表面电场的幅度有待提高，同时，由于各有源区结P⁺结深相同，造成本来应当避免的P⁺区面积增大、肖特基势垒区面积的减小的不利结果。本发明采用了双阶斜场板，并将各有源区内结P⁺的结深减小，使其小于两侧的有源区主结P⁺的结深，从而消除上述不利后果。并且在相应芯片工艺中，用热氧化法生成下层SiO₂膜，用低温、低压的CVD法生成上层SiO₂膜，并控制上层SiO₂膜的腐蚀速率大于下层SiO₂膜的腐蚀速率。这一终端可用于结势垒控制肖特基二极管(JBS)的终端技术领域。

主权项

1、一种结势垒控制肖特基二极管终端，涉及到由阳极金属(1)与SiO2膜(2)所形成的单阶斜场板(8)，以及有源区主结P+(3)和有源区内结P+(4)，其特征在于，在SiO2膜(2)上，阳极金属(1)下再加一层SiO2膜(9)，形成双阶斜场板(10)，再将各有源区内结P+(4)的结深减小，成为有源区内结P+(11)，该结深小于两侧有源区主结P+(3)的结深。