自行对准转接通道的制作方法

摘要

本发明提供一种自行对准转接通道的制作方法，首先于一半导体基底上布局复数条字元线以及主动区域，并使两相邻两字元线通过主动区域部份形成一转接通道区域，以及在主动区域以外形成一填缝区域；接着于字元线两侧各形成一侧壁子，并使侧壁子的厚度足以填满填缝区域而不足以填满转接通道区域，进而于转接通道中自行对准形成一转接通道洞；接着于转接通道洞中填满一导电层以形成一转接通道；本发明改善了制程空间不足造成的制程困难，并避免了栅极两侧的侧壁子结构受到损坏，进而提高元件的电性表现。

主权项

1.一种于一半导体基底上制作一转接通道的方法，该半导体基底上至少定义有一周边电路区以及一存储阵列区，其中该存储阵列区包含有至少一主动区域定义于该半导体基底表面，其特征是：该方法包含有下列步骤：于该半导体基底表面的该存储阵列区内布局至少两相邻字元线，使该两相邻两字元线通过该主动区域形成一转接通道区域，在主动区域以外形成一填缝区域；于该两相邻字元线两侧各形成一第一侧壁子，该第一侧壁子的厚度足以填满该填缝区域，而不足以填满该转接通道区域，从而自行对准形成一转接通道洞；于该半导体基底上形成一导电层，并且填满该转接通道洞；以及进行一回蚀刻制程去除该转接通道洞外侧的该导电层以形成该转接通道。