| 摘要 |
<p>목적: 반도체 장치의 배선 연결을 위해 사용되는 오믹 콘택층으로 고융점금속의 실리사이드를 형성해 줌으로써 콘택 저항을 감소시킬 수 있는 반도체 장치의 실리콘-실리콘 계면에 오믹 콘택 형성방법을 제공한다. 구성: 반도체 기판 상에 게이트 절연막을 사이에 두고 게이트 전극을 형성하는 공정과, 상기 게이트 전극을 마스크로 사용하여 불순물 이온을 주입하여 게이트 전극 양측에 확산영역을 형성하는 공정과, 상기 불순물 이온을 주입한 직후 곧 바로 상기 반도체 기판 전면에 고융점금속층을 형성하는 공정과, 상기 고융점금속층이 형성된 결과의 반도체 기판에 대하여 고속 열처리를 진행하여 고융점금속 실리사이드막을 형성하는 공정과, 상기 고융점금속 실리사이드막의 상부에 폴리실리콘을 증착하여 패드 콘택플러그를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 실리콘-실리콘 계면에 오믹 콘택 형성방법이 제공된다. 이러한 본 발명의 방법에 있어서, 상기 고융점금속은 Ti,Co,Mo,Cr 중의 어느 하나를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 열처리는 600 내지 800℃ 정도에서 20초 내지 30초간 행하도록 한다. 효과: 반도체 장치를 제조하는 과정에서 실리콘-실리콘 콘택부 계면에 초래되는 자연산화막 및 이물질층을 고융점금속을 이용한 실리사이데이션 공정에 의해 제거하여 콘택 저항을 낮춤으로써 전기적 특성을 향상시켜 반도체 장치의 동작 신뢰성을 향상시킬 수 있다.</p> |
