| 摘要 |
<p>본 발명은 완전 자기정열된 양방향 ＩｎＧａｐ／ＧａＡｓ 이중 이종접합 바이폴라 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히, 한개의 소자가 에미터-업 모드로 동작함과 동시에 콜렉터-업 모드로 동작할 수 있도록 해주는 완전 자기정열된 양방향 ＩｎＧａｐ／ＧａＡｓ 이중 이종접합 바이폴라 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 의한 완전 자기정열된 양방향 ＩｎＧａｐ／ＧａＡｓ 이중 이종접합 바이폴라 트랜지스터 및 그 제조방법에 의하면, 한개의 트랜지스터 소자가 에미터-업 모드 및 콜렉터-업 모드로 동시에 동작할 수 있도록 구현해주기 때문에, 집적회로 설계시 필요에 따라 트랜지스터 소자의 동작모드를 선택할 수 있어 초고속 다기능회로 구현이 용이해지고, 운용자가 트랜지스터를 제작할 때 트랜지스터를 구성하고 있는 각각의 층을 선택적으로 식각해 주는 제조방법을 사용해 줌으로써 식각 및 평탄화 공정의 신뢰도를 확보함과 동시에, 한번의 리프트-오프 공정을 통해 액티브 영역의 각 메탈을 증착시켜 주기 때문에 제조과정 및 제조시간을 줄여줄 수 있다는 뛰어난 효과가 있다.</p> |
