| 摘要 |
<p>본 발명은 다수 단위셀의 각 강유전체 커패시터가 한 개의 스위칭 엔모스트랜지스터를 공유하도록 하여 소자의 면적을 감소시키므로서 메가급 이상의 고집적화 구현이 가능한 강유전체 메모리 장치를 제공하고자 하는 것으로, 이를 위한 본 발명의 강유전체 메모리 장치는, 자신의 게이트단자가 워드라인에 연결되며 비트라인에 자신의 일측단자가 연결된 스위칭트랜지스터; 및 상기 스위칭트랜지스터의 타측단자에 자신의 일측단자가 병렬로 연결되고 자신의 각 타측단자가 서로 다른 플레이트라인에 연결된 다수의 강유전체 커패시터를 구비하여, 다수 단위셀의 각 강유전체 커패시터가 상기 스위칭트랜지스터를 공유하는 것을 특징으로 한다.</p> |
