| 主权项 |
1.一种铌粉末,其中在该粉末形成电解电容器阳极 时,该阳极具有至少 65,000微法拉-伏特/克(CV/g)之电容量。2.根据申请专 利范围第1项之铌粉末,其中该阳极具有自65,000至 250,000微法拉-伏特/克之电容量。3.根据申请专利 范围第1项之铌粉末,其中该阳极具有自75,000至250, 000微法拉-伏特/克之电容量。4.根据申请专利范围 第1项之铌粉末,其中该阳极具有自100,000至250,000微 法拉-伏特/克之电容量。5.根据申请专利范围第1 项之铌粉末,其中该阳极具有自125,000至250,000微法 拉-伏特/克之电容量。6.根据申请专利范围第1项 之铌粉末,其中该阳极具有自100,000至210,000微法拉- 伏特/克之电容量。7.一种铌粉末,其特征在于具至 少5.5米2/克之BET表面积。8.根据申请专利范围第7 项之铌粉末,其中该铌粉末具至少7.0米2/克之BET表 面积。9.根据申请专利范围第7项之铌粉末,其中该 铌粉末具至少10米2/克之BET表面积。10.根据申请专 利范围第7项之铌粉末,其中该铌粉末具有自6.0米2/ 克至12米2/克之BET表面积。11.根据申请专利范围第 1至10项中任一项之铌粉末,其具有小于400 ppm之磷 含量。12.根据申请专利范围第1至10项中任一项之 铌粉末,其中该铌粉末系添加氮。13.根据申请专利 范围第1至10项中任一项之铌粉末,其中该铌粉末存 在至少100 ppm之氮。14.根据申请专利范围第1至10项 中任一项之铌粉末,其中该妮粉末存在自 100 ppm至5,000 ppm之氮。15.根据申请专利范围第1至10 项中任一项之铌粉末,其中该铌粉末存在自 100 ppm至20,000 ppm之氮。16.根据申请专利范围第1至 10项中任一项之铌粉末,其中该铌粉末包括片状铌 粉末。17.一种电容器,其特征在于包含根据申请专 利范围第至10项中任一项之铌粉末。18.一种电容 器,其特征在于自包括根据申请专利范围第1至10项 中任一项之铌粉末之调配物制得。19.根据申请专 利范围第18项之电容器,其中该粉末系于自1200℃至 1750℃之温度烧结。20.一种制造片状铌粉末之方法 ,其包括将铌碎片研磨成片状铌粉末,然后使片状 铌粉末脱氧,随后再继续研磨片状铌粉末。21.根据 申请专利范围第20项之方法,其包括于研磨片状铌 粉末期间重覆一次或多次处理片状铌粉末之步骤 。22.根据申请专利范围第20项之方法,其中该脱氧 包括无机脱氧。23.根据申请专利范围第20项之方 法,其中该脱氧为镁脱氧。24.根据申请专利范围第 23项之方法,其中占铌自4重量%至6重量%之镁用于镁 脱氧,且于自700℃至1600℃进行。25.根据申请专利 范围第23项之方法,其中在继续研磨片状铌粉末前 大体上除去残余镁。26.根据申请专利范围第25项 之方法,其中该残余镁系由酸沥滤去除。27.根据申 请专利范围第20项之方法,其中该第一研磨进行2小 时至8小时,而后使片状铌粉末经过脱氧。28.根据 申请专利范围第20项之方法,其中在该片状铌粉末 经过脱氧前,该片状铌粉末达到至少1.5米2/克之BET 表面积。29.根据申请专利范围第20项之方法,其中 该研磨系藉由磨细球磨机完成。图式简单说明: 第一图显示以铌粉末形成阳极及于1150℃或1300℃ 温度烧结时,镍粉末之BET表面积及自电容量。 |
