发明名称 PROJECTION EXPOSURE METHOD AND APPARATUS AND PROJECTION OPTICAL SYSTEM
摘要 <p>L'invention concerne un système optique de projection en réfraction préférable à un appareil d'exposition par projection utilisé en lithographie pour la fabrication d'un microdispositif du type à semiconducteur. Le système de projection optique comprend un groupe de lentille frontale positive, un diaphragme et un groupe de lentille arrière positive. Il s'agit d'un système optique télécentrique des deux côtés. La relation entre la distance focale f2 du groupe de lentille arrière et la distance globale L est exprimée comme suit: 0,065&lt; f2 / L&lt;0,125. Le système de projection optique comprend au moins une surface asphérique (ASP1-ASP6).</p>
申请公布号 WO2001023935(P1) 申请公布日期 2001.04.05
申请号 JP2000006706 申请日期 2000.09.28
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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