| 发明名称 | 用于磁信息存储媒体的玻璃陶瓷基板 | ||
| 摘要 | 一种用于磁信息存储媒体的玻璃陶瓷基板,其特征是,主结晶相是从二硅酸锂、石英、石英固溶体、方英石、方英石固溶体中选择至少一种以上,－50～+70℃的热膨胀系数为+62～+130×10<SUP>-7</SUP>/℃,杨氏模量是80～150GPa,维氏硬度是4.5～15.0GPa,比重是2.2～2.8,研磨加工后的表面粗糙度(Ra)是3～9A,Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>含有量是2～<10%。该基板兼备与高存储密度相适应的表面平滑性。 | ||
| 申请公布号 | CN1251355A | 申请公布日期 | 2000.04.26 |
| 申请号 | CN99122404.3 | 申请日期 | 1999.08.10 |
| 申请人 | 株式会社小原 | 发明人 | 山口胜彦;后藤直雪 |
| 分类号 | C03C10/14;G11B5/62 | 主分类号 | C03C10/14 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张元忠;杨丽琴 |
| 主权项 | 1.一种用于磁信息存储媒体的玻璃陶瓷基板，其特征是，主结晶相是从二 硅酸锂(Li<sub>2</sub>O·2SiO<sub>2</sub>，X射线衍射法的最大峰值强度的面间隔d＝3.57～3.62)、 石英(SiO<sub>2</sub>，X射线衍射法的最大峰值强度的面间隔d＝3.33～3.41)、石英 固溶体(SiO<sub>2</sub>固溶体，X射线衍射法的最大峰值强度的面间隔d＝3.33～3.41)、 方英石(SiO<sub>2</sub>，X射线衍射法的最大峰值强度的面间隔d＝4.04～4.14)、方 英石固溶体(SiO<sub>2</sub>固溶体，X射线衍射法的最大峰值强度的面间隔d＝4.04～4.14 )中选择至少一种以上，-50～+70℃的热膨胀系数为+62～+130×10<sup>-7</sup>/ ℃，杨氏模量是80～150GPa，维氏硬度是4.5～15.0GPa，比重是2.2～2.8，研 磨加工后的表面粗糙度(Ra)是3～9，Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>含有量是2～＜10％。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||