| 主权项 |
1.一种单体线性光学耦合器,包含:(a)一发送光线之发光二极体;(b)与该发光二极体单体性形成的第一光电二极体,根据其所感测之光线产生电流,(c)与该发光二极体单体性形成的第二光电二极体,根据其所感测之光线产生电流;以及(d)一绝缘体将该发光二极体与该第一光电二极体电性隔离,该绝缘体实质上对发光二极体所发送之光线是透明的,其特征为:该第一与第二光电二极体结构围绕该发光二极体(LED),任何由发光二极体所发送之光线在强度上之方向性非均一性均得以补偿,因为在所有方向中所发送之光线之强度可被周围所环绕之光电二极体均匀化(averaged)。2.如申请专利范围第1项之光学耦合器,其中该第一光电二极体为一输出信号光电二极体,根据其所检测之光线产生一输出信号,该第二光电二极体则为一回授控制信号光电二极体,根据其所检测之光线产生一回授控制信号。3.如申请专利范围第1项之光学耦合器,其中该第二光电二极体形成一平面,第二光电二极体在其中环绕着垂直于该平面之发光二极体的投影。4.如申请专利范围第3项之光学耦合器,其中该第一光电二极体在一预定平面上环绕着该第二光电二极体。5.如申请专利范围第3项之光学耦合器,其中该第一光电二极体环绕着该第二光电二极体。6.如申请专利范围第1项之光学耦合器,其中该绝缘体为一厚氧化物层。7.如申请专利范围第6项之光学耦合器,其中该绝缘体为一厚二氧化矽层。8.如申请专利范围第1项之光学耦合器,其中该第一光电二极体以一p掺杂半导体池形成,其填以一n掺杂半导体。9.如申请专利范围第1项之光学耦合器,其中该第二光电二极体以一p掺杂半导体池形成,其填以一n掺杂半导体。10.如申请专利范围第1项之光学耦合器,并含:(e)一具一上表面之基体;以及(f)在基体的上表面上形成一电性绝缘层,并有一上表面,其中第一光电二极体在该电性绝缘层的上表面上形成,其中第二光电二极体在该电性绝缘层的上表面上形成,与第一光电二极体分开,因而形成一电性绝缘层上表面未以第一或第二光电二极体覆盖的区域,其中该绝缘体在该电性绝缘层的上层上形成,且实质上覆盖各第一与第二光电二极体,因而将第一光电二极体与第二光电二极体电性隔离,以及其中该发光二极体位于绝缘体的曝露上表面上,因而与第一光电二极体电性隔离。11.如申请专利范围第10项之光学耦合器,其中该第二光电二极体形成一平面,第二光电二极体在其中环绕着垂直于该平面之发光二极体的投影。12.如申请专利范围第11项之光学耦合器,其中该第二光电二极体形成矩形。13.如申请专利范围第11项之光学耦合器,其中该第二光电二极体形成方形。14.如申请专利范围第11项之光学耦合器,其中该第二光电二极体形成八角形。15.如申请专利范围第10项之光学耦合器,其中该第一光电二极体形成环绕该第二光电二极体。16.如申请专利范围第15项之光学耦合器,其中该第一光电二极体形成矩形。17.如申请专利范围第15项之光学耦合器,其中该第一光电二极体形成为方形。18.如申请专利范围第15项之光学耦合器,其中该第一光电二极体形成八角形。19.如申请专利范围第10项之光学耦合器,其中该第一光电二极体以一p掺杂半导体池形成,其填以一n掺杂半导体。20.如申请专利范围第10项之光学耦合器,其中该第二光电二极体以一p掺杂半导体池形成,其填以一n掺杂半导体。21.如申请专利范围第1项之光学耦合器,并含一反射圆顶,以反射由发光二极体所发出的光线,该反射圆顶置于发光二极体与绝缘体之上,因而形成一光学空腔。图式简单说明:第一图为根据本发明构建之光学耦合器以第二图I-I线所定横剖面之侧视图;第二图为第一图之光学耦合器经过第一图所示II-II线所定横剖面之平面图;第三图为具有一外部耦合的回授控制回路之传统光学耦合器晶片之略图;以及第四图a至第四图d绘示一种制造本发明光学耦合器单体构造之方法。 |
