| 主权项 |
1.一种用以调整一相位偏移光罩之相移之方法,该 相位偏 移光罩具有一提供至少160度相位偏移之衰减相移 材料, 该方法包含下列步骤:(a)形成线区段影像于一相位 偏移 材料,该相位偏移材料位于一透通或半透通基质之 一区域 ;(b)量测由该成像相位偏移材料所提供之实际相位 偏移 ;以及(c)将该透通或半透通基质之未受到该成像相 位偏 移材料所覆盖之区域蚀刻一数量,以提供约180度之 相位 偏移。2.如申请专利范围第1项之方法,其中步骤(a) 是藉由下列 步骤来进行:施加一光阻剂于一包含该透通或半透 通基质 之结构,且该透通或半透通基质具有一层之该相位 偏移材 料;使得该光阻剂图样化;开发该光阻剂及蚀刻。3. 如申请专利范围第1项之方法,其中步骤(b)是藉由 决定 一通过基质之雷射光束及一通过成像相位偏移材 料之雷射 光束间之相位差来执行。4.如申请专利范围第1项 之方法,其中该蚀刻步骤是一对 于该基质具有高度选择性之受控蚀刻步骤。5.如 申请专利范围第4项之方法,其中该受控蚀刻步骤 包 含一湿性蚀刻或一乾性蚀刻。6.如申请专利范围 第5项之方法,其中该乾性蚀刻活性离 子蚀刻,离子束蚀刻,乾性化学蚀刻或电浆蚀刻。7. 如申请专利范围第6项之方法,其中该乾性蚀刻是 运用 自一群气体中选出之一气体来执行,且该群气体包 含CF4 ,SF6,NF3,CHF3及他们本身或与氧之混合物。8.如申请 专利范围第5项之方法,其中该湿性蚀刻包含自 一群化学蚀刻剂中选出之一化学蚀刻剂,且该群化 学蚀刻 剂包含HF,NaOH,BHF及他们本身或与水之混合物。9.如 申请专利范围第8项之方法,其中该化学蚀刻剂是 一 经缓冲之化学蚀刻剂。10.如申请专利范围第1项之 方法,其中步骤(c)去除介于 大约10与大约300埃之间的该透通或半透通基质。11 .如申请专利范围第1项之方法,其中该透通或半透 通基 质包含石英,玻璃,金刚石,金刚石类碳或氟化钙。 12.如申请专利范围第11项之方法,其中该透通或半 透通 基质包含石英。13.如申请专利范围第1项之方法, 其中该相位偏移材料包 含矽化钼,碳,氧化铬,氮化铬,氮化矽或氟氧化铬。 14.如申请专利范围第13项之方法,其中该相位偏移 材料 是矽化钼。15.一种用以调整一相位偏移光罩之相 移的装置,该相位 偏移光罩具有一以提供至少160度相位偏移之衰减 相位偏 移材料,该装置包含:(a)用以量测一线成像光罩所 提供 之实际相位偏移之装置,该线成像光罩包含一提供 至少 160度相位偏移之相位偏移材料,该相位偏移材料系 位于 一透通或半透通基质;(b)用以蚀刻透通或半透通基 质至 一深度以提供约20度或更少之相位偏移于该透通 或半透通 基质之装置;以及(c)用以当该蚀刻完成时提供一回 授之 装置。16.如申请专利范围第15项之装置,其中该量 测装置包含 一雷射光束能量源,一光束分裂器及一相位干涉仪 。17.如申请专利范围第15项之装置,其中该蚀刻装 置包含 一乾性蚀刻或一湿性蚀刻罩盖装置。18.如申请专 利范围第17项之装置,其中该乾性蚀刻罩盖 装置包含一利用气体蚀刻剂来轰炸该成像光罩之 光源。19.如申请专利范围第17项之装置,其中该湿 性蚀刻罩盖 装置包含一化学蚀刻剂。20.如申请专利范围第15 项之装置,其中该回授装置包含 一电脑或一警示装置。21.如申请专利范围第15项 之装置,其中该装置进一步包 含(d)一用以停止该蚀刻之装置。22.如申请专利范 围第21项之装置,其中用以停止该蚀刻 之该装置包含一机械臂。23.一种具有180度相位偏 移之衰减相位光罩结构,该光罩 结构包含一透通或半透通基质,于该透通或半透通 基质之 一部份上具有一成像相位偏移材料,其中该基质包 含一些 区域,该等区域受到蚀刻至一足够深度,以提供约0. 01度 至约20度之相位偏移于该透过或半透通基质。24. 如申请专利范围第23项之结构,其中该透通或半透 通 基质包含石英,玻璃,金刚石,金刚石类碳或氟化钙 。25.如申请专利范围第24项之结构,其中该基质包 含石英 。26.如申请专利范围第23项之结构,其中该相位偏 移材料 包含矽化钼,碳,氧化铬,氮化铬,或氮化矽。27.如申 请专利范围第26项之结构,其中该相位偏移材料 是矽化钼。图式简单说明:第一图(a)-(d)是根据本 发明 来准备之一衰减相位偏移光罩之横截面图:(a)在本 发明 之导通步骤(a)以前之光罩结构;(b)在导通步骤(a)以 后 之光罩结构;(c)在湿性蚀刻以后之光罩结构;且(d) 在乾 性蚀刻以后之光罩结构。第二图展示用以决定成 像光罩及 透通或半透通基质间之透通比差异的装置。第三 图展示本 发明之装置之一实例。 |
