发明名称 FERROELECTRIC MEMORY STRUCTURE
摘要
申请公布号 KR0160988(B1) 申请公布日期 1999.02.18
申请号 KR19910002075 申请日期 1991.02.07
申请人 RAYTHEON COMPANY 发明人 EVANS JR., JOSEPH T.;BULLINGTON, JEFF A.;BERNACKI, STEPHEN E.;ARMSTRONG, BRUCE G.
分类号 G11C11/22;G11C14/00;(IPC1-7):G11C11/22 主分类号 G11C11/22
代理机构 代理人
主权项
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