利用晶界形成半导体器件中的两层多晶硅栅极的方法

摘要

一种形成具有两层多晶硅层和一层钨硅化物层的栅极电极的方法，以防止氟气沿晶界扩散渗入栅极氧化物膜。该方法包括在硅衬底上顺序形成栅极氧化物膜和第一多晶硅层，通过热处理增大第一多晶硅层的晶粒，引入试剂气体SiH₄或Si₂H₆，进一步调整所述层中晶粒的尺寸，在第一多晶硅层上形成第二多晶硅层，通过热处理增大第二多晶硅层的晶粒，引入试剂气体Si₂H₆或SiH₄，在第二多晶硅层上形成钨硅化物层，通过掩模蚀刻工艺对以上各层进行蚀刻。

主权项

1.一种形成半导体器件中的栅极电极的方法，包括：分别在硅衬底上顺序形成栅极氧化物膜和第一多晶硅层；对所述第一多晶硅层进行热处理，以增大其晶粒的尺寸；在所述经热处理的第一多晶硅层上形成第二多晶硅层；对所述第二多晶硅层进行热处理，以增大其晶粒的尺寸；在所述经热处理的第二多晶硅层上形成钨硅化物层；以及通过掩模工艺和蚀刻工艺对所述钨硅化物层、所述第二多晶硅层和所述第一多晶硅层进行蚀刻，由此形成栅极电极。