| 主权项 |
1.一种制造半导体装置之方法包括下列各步骤: 配置一种溶液与基体上之一部份的矽膜相接触,该 溶液含 有一种催化剂用来促进矽膜之结晶;及 经由加热使矽膜结晶。2.如申请专利范围第1项之 方法,其中催化剂包括由镍(Ni ),钯(Pd),铂(Pt),铜(Cu),银,(Ag),金(Au),铟(In ),锡(Sn),磷(P),砷(As)和锑(Sb)所组成之该团中所选 出之一种材料。3.如申请专利范围第1项之方法,其 中催化剂系以自 200ppm或更低之浓度予以包括入溶液中。4.如申请 专利范围第1项之方法,其中溶液中催化剂的浓 度是50ppm或更低。5.如申请专利范围第1项之方法, 其中溶液中催化剂的浓 度是10ppm或更低。6.如申请专利范围第1项之方法, 其中催化剂是选自周期 表的第VIII,IIIB,IVb和Vb等族之至少一种元素。7.如 申请专利范围第1项之方法,其中矽膜是非晶形。8. 如申请专利范围第1项之方法,其中在结晶前维持 溶液 与矽膜相接触历一段经预定之期间。9.如申请专 利范围第8项之方法,其中将被引入矽膜中之 催化剂的浓度经由改变所预定之期间予以控制。 10.一种制造半导体装置之方法包括下列各步骤: 配置一种溶液与基体上之一部份矽膜相接触,该溶 液含有 由镍(Ni),钯(Pd),铂(Pt),铜(Cu),银(Ag),金(Au), 铟(In),锡(Sn),磷(P),砷(As)和锑(Sb)所组成之该团 中所选出之一种材料;及 经由加热使矽膜结晶。11.如申请专利范围第10项 之方法,其中矽膜是非晶形。12.如申请专利范围第 10项之方法,其中在结晶前维持溶 液与矽膜相接触历一段经预定期间。13.如申请专 利范围第12项之方法,其中将被引入矽膜中 之催化剂经由改变所预定之期间予以控制。14.一 种制造半导体装置之方法包括下列各步骤: 配置一种溶液与基体上之一部份矽膜相接触,该溶 液含有 镍;及然后 经由加热使矽膜结晶。15.如申请专利范围第14项 之方法,其中该溶液系由盖覆 予以提供在矽膜上。16.如申请专利范围第15项之 方法,另外包括下列步骤: 维持溶液与矽相接触历0.5分钟或更久并在结晶前 藉一只 旋转器来乾燥溶液。17.如申请专利范围第14项之 方法,其中溶液包括由水, 醇,铵,苯,甲苯,二甲苯,四氯化碳,氯仿和醚所组成 之该团中所选出之一种溶剂。18.如申请专利范围 第14项之方法,其中将镍包括在由下 列各化合物所组成之该团中所选出之一种镍化合 物中:乙 醯丙酮酸镍,—乙基己酸镍,溴化镍,乙酸镍,草酸 镍 ,碳酸镍,氯化镍,碘化镍,硝酸镍,硫酸镍,甲酸镍, 乙醯丙酮酸镍,4—环己基丁酸,氧化镍和氢氧化镍 。19.如申请专利范围第14项之方法,其中溶液系通 过经插 置在其中间之一片氧化物膜与矽膜相接触。20.如 申请专利范围第14项之方法,其中在加热后镍系以 自510@su1@su6原子/cm@su3至110@su1@su9原子/cm@ su3范围内之浓度被包含在矽膜中。21.一种制造半 导体装置之方法包括下列各步骤: 经由配置含有促进结晶之物料之溶液与所选择部 份的矽膜 相接触而添加一种促进结晶之材料入经形成在一 表面上之 矽膜的第一区域中;及 加热该矽膜为的是使晶体自第一区域向着矽膜的 第二区域 (并未直接添加促进结晶之材料至其中)而生长。22 .如申请专利范围第21项之方法,其中在加热后将该 促 进结晶之材料以较第二区域中较高之浓度包括入 矽膜的第 一区域中。23.如申请专利范围第21项之方法,另外 包括该项步骤: 为了形成半导体装置的作用区在第二区域中在加 热后,使 矽膜形成图型。24.如申请专利范围第21项之方法, 其中该促进结晶之材 料系由镍(Ni),钯(Pd),铂(Pt),铜(Cu),银(Ag),金( Au),铟(In),锡(Sn),磷(P),砷(As)和锑(Sb)所组成之 该团中所选出。25.一种制造半导体装置之方法包 括下列各步骤: 制备含有经溶解或经分散入一种极性溶剂中之一 种化合物 之溶液,该化合物包括一种促进结晶之材料; 配置该溶液与一片矽膜相接触;及然后经由加热使 该矽膜 结晶。26.如申请专利范围第25项之方法,其中极性 溶剂系由水 ,醇,酸和铵所组成之该团中所选出。27.如申请专 利范围第25项之方法,其中该化合物系由下 列各化合物所组成之该团中所选出:溴化镍,乙酸 镍,草 酸镍,碳酸镍,氯化镍,碘化镍,硝酸镍,硫酸镍,甲酸 镍,乙醯丙酮酸镍,4—环己基丁酸,氧化镍和氢氧化 镍 。28.如申请专利范围第25项之方法,另外包括添加 一种界 面活化剂之步骤。29.如申请专利范围第25项之方 法,另外包括插置一片氧 化物膜在溶液与矽膜间之步骤。30.一种制造半导 体装置之方法包括下列各步骤: 制备含有经溶解或经分散入一种非极性溶剂中之 一种化合 物之溶液,该化合物包括一种促进结晶之材料; 配置该溶液与一片矽膜相接触;及然后经由加热使 该矽膜 结晶。31.如申请专利范围第30项之方法,其中非极 性溶剂系由 苯,甲苯,二甲苯,四氯化碳,氯仿和醚所组成之该团 中 所选出。32.如申请专利范围第30项之方法,其中该 化合物系由下 列各化合物所组成之该团中所选出:乙醯丙酮酸镍 ,— 乙基己酸镍,溴化镍,4—环己基丁酸,氧化镍和氢氧 化 镍。33.一种制造绝缘闸场效半导体装置之方法包 括下列步骤 : 形成一片非晶之矽膜在一个绝缘之表面上; 使该矽膜结晶;及 为了形成一片闸极绝缘膜,在含有水蒸汽之一种氧 化大气 中氧化该矽膜之一个表面。34.如申请专利范围第 33项之方法,另外包括在结晶前, 添加镍入非晶矽膜中的步骤。35.如申请专利范围 第33项之方法另外包括在氧化后使用 光在含氮之大气中处理矽膜。36.一种包括至少一 个作用区之半导体装置,包括经形成 在一个绝缘表面上之结晶矽,其中该矽膜含有一种 催化剂 元素它能促进非晶矽膜的结晶。37.如申请专利范 围第36项之装置,其中催化剂元素包括 由镍(Ni),钯(Pd),铂(Pt),铜(Cu),银(Ag),金(Au), 铟(In),锡(Sn),磷(P),砷(As)和锑(Sb)所组成之该团 中所选出之一种元素。38.如申请专利范围第36项 之装置,其中该装置系由薄膜 电晶体,二极体和光学传感器所组成之该围中所选 出。39.如申请专利范围第36项之装置,其中该装置 包括经由 PI,PN和NI所指示之至少一个电接头。40.如申请专利 范围第36项之装置,其中催化剂元素系以1 10@su1@su6原子/cm@su3至110@su1@su9原子/cm@su3 范围内之浓度被包含在矽膜中。41.如申请专利范 围第36项之装置,其中拉曼光谱术的峰 値强度(关于矽膜)是1/3或超过关于单晶矽之拉曼 光谱术 的峰値强度。42.如申请专利范围第36项之装置,其 中矽膜的晶体生长 方向是与[111]轴大概相对准。43.如申请专利范围 第36项之装置,其中矽膜的表面具有 至少一个的平面{111},系由{hkl}(h+k=()予以 表示者及其一个邻区。44.如申请专利范围第43项 之装置,其中经由{hkl}所表 示之各平面是{110},{123},{134},{235},{ 145},{146},{156},{257}和{167}。45.一种包括至少一个作 用区之半导体装置(其中)包含经 形成在基体上之结晶矽,其中矽膜的一个表面具有 至少一 个的平面{111}系经由{hkl}(h+k=()所表示者及 其一个邻区。46.如申请专利范围第45项之装置,其 中经由{hk(}所 表示之各平面是{110},{123},{134},{235}, {145},{156},{257}和{167}。图示简单说明: 图1A至1D是依照本发明,用以形成结晶矽膜之各截 面图; 图2A和2B是各截面图显示依照本发明,结晶矽膜之 成形; 图3是一幅图表显示晶体的侧向生长长度VS溶液中 镍之浓 度; 图4是一幅图表显示SIMS数据系关于矽区域中之镍( 镍系被 直接加至其中); 图5是一幅图表面显示SIMS数据系关于矽区域中之 镍,于 此情况晶体系自镍被直接加至其中之区域沿着侧 方向而生 长; 图6A至6E是各截面图显示依照本发明的实例3制造 半导体 装置之方法; 图7显示经历电浆处理之矽薄膜中之Ni浓度; 图8是拉曼光谱图系关于镍被直接加至其中之一个 区域; 图9是拉曼光谱图系关于晶体以侧方向生长之一个 区域; 图10A至10F是截面图显示依照本发明之实例4之电光 装置 的制造方法。 图10A至10F是截面图显示依照本发明之实例4之电光 装置 的制造方法。 图11A至11D是截面图显示依照本发明之实例5之TFT之 制造 方法。 图12显示依照本发明之实例6之活性短阵型光电装 置的示 意图; 图13A至13B是截面图显示依照本发明实例7之结晶矽 膜的 成形; 图14A至14E是截面图显示依照本发明实例8之TFT的制 造方 法;及 图15A至15B是示意图显示依照本发明实例8之TFT的活 性层 |
