高压垂直扩散场效应管及其制法

摘要

一种高压垂直扩散场效应管的制作方法，属半导体器件技术领域已有技术是在低阻N⁺的硅单晶衬底片上，生长一层高阻N^-外延层然后在外延层上进行双扩散制作而成。本发明不用外延片，直接在硅单晶片上制作高压VDMOS晶体管，然后采用晶片减薄工艺和薄片加工工艺，降低VDMOS晶体管的导通电阻。晶片减薄工艺和薄片加工工艺的特征是：把薄硅片同底托片粘接在一起形成复合片，对复合片进行加工。

主权项

1、一种高压垂直扩散MOS场效应晶体管的制造方法，其特征在于： a.用不长外延层的高阻硅单晶片作为基片； b.在完成管芯工艺后，通过晶片减薄和薄片加工，降低晶体管的导通电阻。