| 主权项 |
1. 一种双元件磁阻(MR)感测器,包含:两个由一高阻抗导电间隔层所分隔的MR元件;一邻接该MR元件之一之各追 缘的硬偏向层,且具有一本质上与该一MR元件之値匹配的磁化乘以厚度値,以在一纵长方向上偏向该一MR元件;和一与该MR元件之另一接触之互换偏向层,以互换耦合方式使该另一MR元件以一相反的纵长方向偏向,藉此而得到该两MR元件间的磁性稳定。2. 根据申请专利范围第1项之MR感测器,其中该间隔层之阻抗约高于100微米-欧姆-公分,以确使对抗因为分流而产生的感测电流之损失。3. 根据申请专利范围第1项之MR感测器,其中该互换偏向层邻接该另一MR元件的各追 缘,且具有一本质上与该另一MR元件之値匹配的磁化乘以厚度値。4. 根据申请专利范围第1项之MR感测器,其中该互换偏向层系自一追 缘延伸至该另一追 缘的相对追 缘,且与该另一MR元件连续接触。5. 根据申请专利范围第1项之MR感测器,包括:一对导线,用以传送在该双元件MR感测器感测到一类比信号时所产生之电压,并与之联合;一平行连接于该引线之间的偏向电流源,该引线各只需要一次电子连接以提供相同的偏向电流,以得到相同但非平行的偏向角,以用于该MR元件和该另一MR元件。6.一种双元件磁阻(MR)感测器,包含有:一分隔两个被动端区之中央主动区,该中央区包含一对由一高阻抗导电间隔层所分隔之MR元件;每个被动区包含:() 一硬偏向层,邻接该MR元件之一的各个追 缘,且具有与该MR元件之値匹配的磁化乘以厚度値,以一纵长方向偏向该MR元件;和() 一铁磁层,邻接该MR元件之另一元件的各个追缘,且具有与该另一MR元件匹配之磁化乘以厚度値,以藉着互换耦合,以本质上相反的纵长方向偏向该另一MR元件,以得到该两MR元件间之磁性稳定。7. 一种双元件磁阻(MR)感测器,包含:一分隔两个被动端区之中央主动区,该中央主动区包含:() 一对由一高阻抗导电间隔层所分隔之MR元件;和() 一连续与该MR元件之一接触的互换偏向层,以藉着互换耦合方式,以本质上一纵长方向偏向该MR元件;和每一被动区包含一硬偏向层,其具有至少等于该另一MR元件之値的磁化乘以厚度値,以一相反纵长方向偏向该另一MR元件,以得到该两MR元件间之磁性稳定。8. 根据申请专利范围第7项之MR感测器,其中该互换偏向层与该MR元件下方连续接触。9. 根据申请专利范围第7项之MR感测器,其中该互换偏向层与该MR元件上方连续接触。10. 一种双元件磁阻(MR)感测器,包含:两个由一高阻抗导电间隔层所分隔之MR元件;一互换偏向层,邻接该MR元件之一的各追 缘,且其磁化乘以厚度値与该MR元件之値匹配,以藉着互换耦合使该MR元件偏向一纵长方向;和一互换偏向层,邻接该MR元件之另一元件的各追 缘,且其磁化乘以厚度値与该另一MR元件之値匹配,以藉着互换耦合,以相反的纵长方向偏向该另一MR元件,藉此而得到该两MR元件间之磁性稳定。11. 根据申请专利范围第10项之MR感测器,其中该间隔层的阻抗约在100微米-欧姆-公分以上,以确使对抗因为分流而造成的感应电流之损失。图示简单说明:图1为一MR感测系统之示意图,其显示实施本发明的一MR感测器之一实施例端视图,该图系由一磁碟档(diskfile)的空气轴承表面(ABS)看之;图2为一MR感测器的一实施例之端视图,其为图1之修改;图3为实施本发明的MR感测器之另一实施例的端视图,该图系由一磁碟档的空气轴承表面(ABS)视之。图4所示为一MR感测器之一实施例端视图,该图为图3之修 |
