| 发明名称 | 半导体器件和半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件包括一个衬底、一个在该衬底上面形成的并包含有硅氟键的绝缘膜，和一个在该绝缘膜上形成的钛-基金属布线层，该钛-基金属布线层包含有从绝缘膜扩散来的氟并且具有小于1×10<SUP>20</SUP>atoms/cm<SUP>3</SUP>的氟浓度。 | ||
| 申请公布号 | CN1132935A | 申请公布日期 | 1996.10.09 |
| 申请号 | CN95117116.X | 申请日期 | 1995.09.01 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 松能正 |
| 分类号 | H01L23/52;H01L21/28;H01L21/324;H01L21/768 | 主分类号 | H01L23/52 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：一个衬底；一个在所述衬底上形成的并含有硅-氟键的绝缘膜；和一个在所述绝缘膜上形成的钛-基金属布线层，所述钛-基金属布线层包含有从所述绝缘膜扩散的氟并且具有小于5×1020 atoms/cm3的氟浓度。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||