发明名称 | 铁电电容器与半导体器件 | ||
摘要 | 这里揭示了由上电极、铁电薄膜和下电极构成的铁电电容器和具有铁电电容器的电子器件,特征在于所述铁电薄膜为钙钛矿型的含Pb氧化物,而上电极和下电极含有Pt和Pb的金属间化合物。本发明是为解决下述问题而设计的。在常规非易失性铁电存储器中,在PZT与电极的界面附近产生退化层。在电极与铁电薄膜界面处产生应力。退化层和界面应力使铁电电容器的初始极化特性变坏,并且在多次开关循环后极化特性会严重退降。 | ||
申请公布号 | CN1292931A | 申请公布日期 | 2001.04.25 |
申请号 | CN98814030.6 | 申请日期 | 1998.09.22 |
申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 藤原彻男;生田目俊秀;铃木孝明;东山和寿 |
分类号 | H01L27/10 | 主分类号 | H01L27/10 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 梁永;叶恺东 |
主权项 | 1.一种具有上电极、铁电薄膜和下电极的铁电电容器,其特征在于所述铁电薄膜是由含有一种金属元素的钙钛矿型氧化物制成的,而所述上电极含有由所说的金属元素和一种贵重金属组成的金属间化合物。 | ||
地址 | 日本东京都 |