保护金属导线之阻障层的形成方法

摘要

本发明提供一种保护金属导线之阻障层的形成方法，首先，提供一沉积处理室；提供一半导体基底，半导体基底上形成有一金属导线；接着，于沉积处理室中，在0W之偏压功率下，于金属导线之表面上形成一第一阻障层；然后，于沉积处理室中，提高偏压功率至一第一偏压功率下，于第一阻障层上形成一第二阻障层；最后，于沉积处理室中，提高偏压功率至一第二偏压功率下于半导体基底及金属导线上形成一介电层。