| 主权项 |
1.一种可规划可重新程式化非挥发性记忆体之控制单元,耦接至一微处理器,用以控制与规划该可重新程式化非挥发性记忆体之储存区,包括:一可重新程式化非挥发性记忆体,耦接至该微处理器,用以抹除,写入,读取与记忆资料;以及一可重新程式化非挥发性记忆体存取控制单元,耦接至该微处理器与该可重新程式化非挥发性记忆体,用以控制该可重新程式化非挥发性记忆体之一保护范围,其中该保护范围只能用以储存资料,不能被写入与抹除资料。2.如申请专利范围第1项所述之可规划可重新程式化非挥发性记忆体之控制单元,其中该可重新程式化非挥发性记忆体存取控制单元,包括:一暂存器族,包含复数个暂存器,用以规划该可重新程式化非挥发性记忆体之储存区;一读写电路,用以将该微处理器之暂存器信号转换为该可重新程式化非挥发性记忆体之界面信号;一保护电路,用以判断欲写入与抹除之位址是否在该保护范围之内;以及一时序控制电路,用以控制该程式化非挥发性记忆体存取控制单元读取资料。3.如申请专利范围第2项所述之可规划可重新程式化非挥发性记忆体之控制单元,其中该暂存器族包括:一保护起始位址之高位元组暂存器,用以定义该保护范围之一起使位址的高位元组;一保护结束位址之高位元组暂存器,用以定义该保护范围之一结束位址的高位元组;一写入暂存器,用以储存欲写入该可重新程式化非挥发性记忆体的资料;一读取暂存器,用以储存读取该可重新程式化非挥发性记忆体所得的资料;一存取位址之低位元组暂存器,用以定义一存取位址之低位元组;一存取位址之高位元组暂存器,用以定义该存取位址之高位元组;以及一记忆体存取控制暂存器,其中,该可重新程式化非挥发性记忆体之该保护范围系界于该保护起使位址之高位元组与该保护结束位址之高位元组间的记忆体空间的范围。4.如申请专利范围第3项所述之可规划可重新程式化非挥发性记忆体之控制单元,其中该记忆体存取控制暂存器包括:一第0位元,当该第0位元为高准位时,则致能可重新程式化非挥发性记忆体内部的升压电路,此时才能够执行写入和清除的动作;一第1位元,当该第1位元为低准位时,不可将资料写入该可重新程式化非挥发性记忆体中;一第2位元,当该第2位元为高准位时,将包含该存取位址内所有的値全部清除;一第3位元,当该第3位元为高准位,且当该第0位元与该第1位元高准位时,可将该写入暂存器的値写入该存取位址内;一第4位元,当该第4位元为高准位时,读取该存取位址之节区内的位址中的値,再将资料输出至该读取暂存器中;一第5位元;一第6位元;以及一第7位元。5.如申请专利范围第1项所述之可规划可重新程式化非挥发性记忆体之控制单元更包括:一计数器,韧体可以直接控制该计数器计数该可重新程式化非挥发性记忆体写入与抹除的时间。6.如申请专利范围第1项所述之可规划可重新程式化非挥发性记忆体之控制单元,其中该保护起始位址之高位元组暂存器与该保护结束位址之高位元组暂存器可由该可重新程式化非挥发性记忆体存取控制单元设定之。7.如申请专利范围第1项所述之可规划可重新程式化非挥发性记忆体之控制单元,其中该保护起始位址之高位元组暂存器与该保护结束位址之高位元组暂存器可由外在程式设定之。8.如申请专利范围第1项所述之可规划可重新程式化非挥发性记忆体之控制单元,其中该保护起始位址之高位元组暂存器与该保护结束位址之高位元组暂存器可由控制界面设定之。9.如申请专利范围第1项所述之可规划可重新程式化非挥发性记忆体之控制单元,其中该保护起始位址之高位元组暂存器与该保护结束位址之高位元组暂存器可由暂存器设定之。10.如申请专利范围第1项所述之可规划可重新程式化非挥发性记忆体之控制单元,其中该可重新程式化非挥发性记忆体为快闪记忆体。11.一种可规划可重新程式化非挥发性记忆体之方法,系利用定义一保护起始位址之高位元组与一保护结束位址之高位元组,规划可重新程式化非挥发性记忆体内部之该保护范围,在该保护范围内,该可重新程式化非挥发性记忆体只能储存资料,不能被写入与抹除资料。12.如申请专利范围第11项所述之可规划可重新程式化非挥发性记忆体之方法,其中该保护范围系利用外在程式定义该保护起始位址之高位元组与该保护结束位址之高位元组。13.如申请专利范围第11项所述之可规划可重新程式化非挥发性记忆体之方法,其中该定义方法系利用控制界面定义该保护起始位址之高位元组与该保护结束位址之高位元组。14.如申请专利范围第11项所述之可规划可重新程式化非挥发性记忆体之方法,其中该定义方法系利用暂存器定义该保护起始位址之高位元组与该保护结束位址之高位元组。15.如申请专利范围第11项所述之可规划可重新程式化非挥发性记忆体之方法,其中该定义方法系利用控制单元定义该保护起始位址之高位元组与该保护结束位址之高位元组。16.如申请专利范围第11项所述之可规划可重新程式化非挥发性记忆体之方法,其中该可重新程式化非挥发性记忆体为快闪记忆体。图式简单说明:第1图绘示的是传统80C32加上内嵌式可重新程式化非挥发性记忆体的架构;第2图绘示的是传统80C32加上内嵌式可重新程式化非挥发性记忆体的架构加上93C46之应用;第3图绘示的是传统80C32加上二内嵌式可重新程式化非挥发性记忆体的架构之应用;第4图绘示的是本发明应用在80C32之架构图;第5图绘示的是第4图中可规划可重新程式化非挥发性记忆体之控制单元404及时间计数器的使用示意图;第6图绘示的是快闪记忆体之资料读取时序图;第7图绘示的是快闪记忆体之资料写入时序图;以及第8图绘示的是快闪记忆体之资料节区抹除时序图。 |
