| 发明名称 |
Method for selective oxidation |
| 摘要 |
부분-제조된 집적 회로에서 금속-함유 물질에 대하여 실리콘이 선택적으로 산화된다. 일부 구현예들에서, 상기 실리콘과 금속-함유 물질들은 부분-제조된 집적 회로의 노출된 일부들이며, 예를 들면 트랜지스터의 일부를 형성할 수 있다. 상기 실리콘 및 금속-함유 물질은 산화제와 환원제를 함유하는 분위기 내에서 산화된다. 일부 구현예들에 있어서, 상기 환원제는 약 10 부피% 이하의 농도로 존재한다. |
| 申请公布号 |
KR101670696(B1) |
申请公布日期 |
2016.10.31 |
| 申请号 |
KR20100012950 |
申请日期 |
2010.02.11 |
| 申请人 |
에이에스엠 인터내셔널 엔.브이. |
发明人 |
누아레이 제롬;그란네만, 에른스트 에이치.에이. |
| 分类号 |
H01L21/322;H01L21/336;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/322 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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