发明名称 内建高频调变IC之雷射二极体模组
摘要 本发明系有关一种内建高频调变IC之雷射二极体模组,其系将一用以消除雷射二极体返回光杂讯之高频电流产生电路积体化,成为一高频调变IC模态(High-Frequency Modulation IC, HFMIC),并直接内建封装在金属封盖内,且藉打线(wire bond)分别与预定之接脚及雷射二极体晶片(LD)形成电性连接,该封装之雷射二极体模组具备四支接脚,其中二支接脚分别为正、负极电源连接端用以供给该内建之HFMIC电源,另二支接脚系供一外部之自动功率控制(APC)电路连接并分别为LD及PD之正极电源者。藉此,省去外接高频电流产生电路板的麻烦,提升产能效率及使用之便利性,并降低电磁干扰(EMI)之辐射量。
申请公布号 TWI242316 申请公布日期 2005.10.21
申请号 TW093131774 申请日期 2004.10.20
申请人 华上光电股份有限公司 发明人 严宪政;林俊廷
分类号 H01S3/0941 主分类号 H01S3/0941
代理机构 代理人
主权项 1.一种内建高频调变IC之雷射二极体模组,包含有:一散热座,其背面设有数支接脚;一固定座,系凸设在该散热座表面;一次固定座,系设于该固定座上;一雷射二极体晶片(LD),系设于该次固定座上;一检光二极体晶片(PD),系设于该散热座上;以及一金属封盖,系接合在该散热座上方;其特征在于:将一用以消除雷射二极体返回光杂讯之高频电流产生电路积体化成为一高频调变IC模态(High-Frequency Modulation IC,HFMIC),并直接内建封装在金属封盖内,且藉打线(wire bond)分别与预定之接脚及雷射二极体晶片(LD)形成电性连接,该封装之雷射二极体模组具备四支接脚,其中二支接脚分别为正、负极电源连接端用以供给该内建之HFMIC电源,另二支接脚系供一外部之自动功率控制(APC)电路连接并分别为LD及PD之正极电源者。2.如申请专利范围第1项所述之内建高频调变IC之雷射二极体模组,其中,该高频调变IC(HFMIC)系设在该固定座之上,且其与固定座之间设有一绝缘层者。3.如申请专利范围第1项所述之内建高频调变IC之雷射二极体模组,其中,该四支接脚系以第1接脚及第4接脚与外部之自动功率控制(APC)电路连接,第2接脚系为接地脚,其顶端连接在该散热座底面,第3接脚为正极电源接脚,供给该高频调变IC电源者。4.如申请专利范围第3项所述之内建高频调变IC之雷射二极体模组,其中,该第2接脚系与该散热座及该固定座电性连接,且同为接地之负极电源。5.如申请专利范围第3项所述之内建高频调变IC之雷射二极体模组,其中,该作为正极电源之第3接脚系穿伸在该散热座上,并与散热座间设有一第一绝缘体,其上端系藉由一第一打线与该高频调变IC(HFMIC)之电源输入端连接,而该高频调变IC(HFMIC)之接地端系藉一第二打线与该固定座连接者。6.如申请专利范围第3项所述之内建高频调变IC之雷射二极体模组,其中,该第1接脚系穿伸在该散热座上,并与散热座间设有一第二绝缘体,其上端系藉由一第三打线与该高频调变IC(HFMIC)连接后再藉由一第四打线与该雷射二极体晶片(LD)之正极(p极)连接,而雷射二极体晶片(LD)之负极(n极)则黏贴在该次固定座,并由该次固定座表面藉一第五打线与该固定座连接者。7.如申请专利范围第3项所述之内建高频调变IC之雷射二极体模组,其中,该第4接脚系穿伸在该散热座上,并与散热座间设有一第三绝缘体,其上端系藉由一第六打线与该检光二极体晶片(PD)之正极(p极)连接,而检光二极体晶片(PD)之负极(n极)则黏贴在该散热座表面。8.如申请专利范围第3项所述之内建高频调变IC之雷射二极体模组,其中,该第1接脚与自动功率控制(APC)电路之间,更包括一电感者。9.一种内建高频调变IC之雷射二极体模组,包含有:一散热座,其背面设有数支接脚;一固定座,系凸设在该散热座表面;一次固定座,于该固定座上;一雷射二极体晶片(LD),系设于该次固定座上;一检光二极体晶片(PD),系设于该散热座上;以及一金属封盖,系接合在该散热座上方;其特征在于:该固定座顶面设有一绝缘层;一用以消除雷射二极体返回光杂讯之高频电流产生电路,系积体化成为一高频调变IC(HFMIC)模态,并将其直接内建设在该绝缘层上,且藉打线(wire bond)分别与预定之接脚及雷射二极体晶片(LD)形成电性连接;及该散热座背面设有四支接脚,其中第2及第3接脚为该高频调变IC(HFMIC)之正、负极电源连接端用以供给该内建之HFMIC电源,第1及第4接脚系供一外部之自动功率控制(APC)电路连接并分别为LD及PD之正极电源者。10.如申请专利范围第9项所述之内建高频调变IC之雷射二极体模组,其中,该第2接脚系与该散热座及该固定座电性连接,且同为接地之负极电源。11.如申请专利范围第9项所述之内建高频调变IC之雷射二极体模组,其中,该作为正极电源之第3接脚系穿伸在该散热座上,并与散热座间设有一第一绝缘体,其上端系藉由一第一打线与该高频调变IC(HFMIC)之电源输入端连接,而该高频调变IC(HFMIC)之接地端系藉一第二打线与该固定座连接者。12.如申请专利范围第9项所述之内建高频调变IC之雷射二极体模组,其中,该第1接脚系穿伸在该散热座上,并与散热座间设有一第二绝缘体,其上端系藉由一第三打线与该高频调变IC(HFMIC)连接后再藉由一第四打线与该雷射二极体晶片(LD)之正极(p极)连接,而雷射二极体晶片(LD)之负极(n极)则黏贴在该次固定座,并由该次固定座表面藉一第五打线与该固定座连接者。13.如申请专利范围第9项所述之内建高频调变IC之雷射二极体模组,其中,该第4接脚系穿伸在该散热座上,并与散热座间设有一第三绝缘体,其上端系藉由一第六打线与该检光二极体晶片(PD)之正极(p极)连接,而检光二极体晶片(PD)之负极(n极)则黏贴在该散热座表面。14.如申请专利范围第9项所述之内建高频调变IC之雷射二极体模组,其中,该第1接脚与自动功率控制(APC)电路之间,更包括一电感者。图式简单说明:第一图系习用雷射二极体外接高频电流产生电路之示意图。第二图系本发明封装之分解立体图。第三图系本发明封装后立体剖示图。第四图系第三图中4-4断面剖示图。第五图系第四图中5-5断面剖示图。第六图系本发明之底视图。第七图系本发明之电路图。第八图系HFMIC之一可行电路方块图。
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