| 摘要 |
【課題】 メモリ容量が増大し、セクタの数が増加する場合においても、高速動作が可能な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 メモリセルアレイおよび選択回路を各々有する複数のセクタ１０２−０〜１０２−３と、これらのセクタの出力信号を各々増幅して出力する複数のセンス回路１０３−０〜１０３−３と、これらのセンス回路をそれぞれ選択あるいは非選択とし、非選択とするセンス回路の出力信号を固定レベルに設定する設定手段と、これらのセンス回路の各出力信号の論理和演算結果を出力端子ＯＵＴに出力するＯＲ回路１０６（０，１）、１０６（２，３）および１０７とを有する。【選択図】図１ |
