发明名称 | 一种增强金属铜与NDC界面结合强度的方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种增强金属铜与NDC界面结合强度的方法,至少包括以下步骤:1)于低k介质层中形成通孔结构,于所述通孔结构填充金属铜;2)于所述低k介质层及金属铜表面形成C<sub>9</sub>H<sub>27</sub>NSi<sub>3</sub>薄层;3)通入C<sub>9</sub>H<sub>27</sub>NSi<sub>3</sub>气体及He并进行等离子体处理,使所述C<sub>9</sub>H<sub>27</sub>NSi<sub>3</sub>薄层及C<sub>9</sub>H<sub>27</sub>NSi<sub>3</sub>气体与He反应,于所述低k介质层及金属铜表面形成富Si的SiCN层;4)对所述富Si的SiCN层进行N等离子体处理,使所述富Si的SiCN层中的Si与N反应,形成富SiN的SiCN层;5)于所述富SiN的SiCN层表面形成NDC层。本发明采用C<sub>9</sub>H<sub>27</sub>NSi<sub>3</sub>与He反应形成富Si的SiCN层,然后通过N等离子体处理形成富SiN的SiCN层,可以有效增强金属铜与NDC界面结合,并不会与金属铜反应形成合金,有效提高了器件的性能。本发明工艺步骤简单,适用于工业生产。 | ||
申请公布号 | CN104157603B | 申请公布日期 | 2017.02.08 |
申请号 | CN201310179587.2 | 申请日期 | 2013.05.15 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 周鸣 |
分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 余明伟 |
主权项 | 一种增强金属铜与NDC界面结合强度的方法,所述NDC为氮掺杂的碳化硅,其特征在于,至少包括以下步骤:1)于低k介质层中形成通孔结构,于所述通孔结构填充金属铜;2)于所述低k介质层及金属铜表面形成C<sub>9</sub>H<sub>27</sub>NSi<sub>3</sub>薄层;3)通入C<sub>9</sub>H<sub>27</sub>NSi<sub>3</sub>气体及He并进行等离子体处理,使所述C<sub>9</sub>H<sub>27</sub>NSi<sub>3</sub>薄层及C<sub>9</sub>H<sub>27</sub>NSi<sub>3</sub>气体与He反应,于所述低k介质层及金属铜表面形成富Si的SiCN层;4)对所述富Si的SiCN层进行N等离子体处理,使所述富Si的SiCN层中的Si与N反应,形成富SiN的SiCN层;5)于所述富SiN的SiCN层表面形成NDC层。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |