MANUFACTURING METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

본 발명의 실시 예에 따른 반도체 장치의 제조방법은 제1 및 제2 물질막들이 교대로 적층된 적층체를 관통하는 홀을 형성하는 단계; 상기 홀 표면을 따라 채널막을 형성하는 단계; 상기 채널막의 표면을 따라 버퍼막을 형성하는 단계; 상기 버퍼막과 접하고, 상기 홀 내부를 채우는 도펀트 공급막을 형성하는 단계; 및 상기 도펀트 공급막으로부터의 도펀트를 상기 채널막으로 확산시켜서 상기 채널막을 도핑하는 단계를 포함할 수 있다.