发明名称 Method for forming fine patterns and method for manufacturing a semiconductor device by using the same
摘要 미세 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법이 제공된다. 미세 패턴 형성 방법은 하부막 상에, 트렌치들을 정의하는 제 1 희생막을 형성하고, 트렌치들을 채우는 제 2 희생막을 형성하고, 제 2 희생막을 패터닝하여, 상부 개구부를 정의하는 제 2 희생 패턴들을 트렌치 내에 국소적으로 형성하고, 그리고, 하부막을 패터닝함으로써 상부 개구부 아래의 하부막에 하부 개구부를 형성하는 것을 포함한다.
申请公布号 KR101658492(B1) 申请公布日期 2016.09.21
申请号 KR20100078474 申请日期 2010.08.13
申请人 삼성전자주식회사 发明人 김남건;조성일;김윤재
分类号 H01L21/027 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人
主权项
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