发明名称 |
一种三氧化钼和二硫化钼复合材料的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种三氧化钼和二硫化钼复合材料的制备方法,该制备方法包括步骤如下:选取基底片,清洗选取的基底片,以三氧化钼粉末为生长源,利用物理气相沉积的方法,以清洗干净的基底片为基础制备三氧化钼纳米片,得到三氧化钼纳米片;以得到的三氧化钼纳米片作为基片,以硫粉作为硫源,利用化学气相沉积法高温硫化制备三氧化钼和二硫化钼复合材料,得到三氧化钼和二硫化钼复合材料。本发明的三氧化钼和二硫化钼复合材料的制备方法简单易行。本发明制备的三氧化钼和二硫化钼复合材料可实现在可见光区域的光催化响应,大大提高了太阳光的利用率。两种材料之间能带匹配,可以实现光生电子空穴的有效分离,从而复合材料表现出较高的光催化效率。 |
申请公布号 |
CN105854901A |
申请公布日期 |
2016.08.17 |
申请号 |
CN201610252480.X |
申请日期 |
2016.04.21 |
申请人 |
国家纳米科学中心 |
发明人 |
杨蓉;炼铮;韩秋森;王田;王琛 |
分类号 |
B01J27/051(2006.01)I;A01N59/16(2006.01)I;A01P1/00(2006.01)I;A01P3/00(2006.01)I |
主分类号 |
B01J27/051(2006.01)I |
代理机构 |
北京路浩知识产权代理有限公司 11002 |
代理人 |
王文君 |
主权项 |
一种三氧化钼和二硫化钼复合材料的制备方法,其特征在于,该制备方法包括:制备三氧化钼纳米片,所得三氧化钼纳米片厚度为100~500nm;将得到的三氧化钼纳米片表面硫化,得到三氧化钼和二硫化钼复合材料,所述复合材料厚度为100~500nm。 |
地址 |
100080 北京市海淀区中关村北一条11号 |