非易失性存储器件及其制造方法和操作方法

摘要

本发明公开一种非易失性存储器件。所述非易失性存储器件包括：交替地彼此平行布置的位线和源极线；以及交替地布置在位线与源极线之间并且每个包括漏极选择晶体管、存储器晶体管和源极选择晶体管的偶数串和奇数串。漏极选择晶体管包括结构与存储器晶体管相同的第一漏极选择晶体管和结构与源极选择晶体管相同的第二漏极选择晶体管。所述非易失性存储器件还包括与所述偶数串的第一漏极选择晶体管和奇数串的第二漏极选择晶体管连接的偶数漏极选择线，以及与奇数串的第一漏极选择晶体管和偶数串的第二漏极选择晶体管连接的奇数漏极选择线。

主权项

一种非易失性存储器件，包括：衬底，所述衬底具有被隔离层限定的有源区，且包括多个第一区域、第二区域以及第三区域，所述多个第一区域沿着一个方向延伸，所述第二区域和所述第三区域交替地设置在所述第一区域之间以与所述第一区域相互连接；源极选择线、字线、第一漏极选择线和第二漏极选择线，所述源极选择线、所述字线、所述第一漏极选择线和所述第二漏极选择线设置在所述衬底之上，并且延伸以越过所述第二区域和所述第三区域之间的所述第一区域；第一接触部和第二接触部，所述第一接触部和所述第二接触部分别设置在所述第二区域和所述第三区域之上；以及第一导线和第二导线，所述第一导线和所述第二导线分别与所述第一接触部和所述第二接触部连接并且彼此平行地延伸，其中，所述第一漏极选择线和所述第二漏极选择线中的每个包括隧道电介质层、浮栅、栅间电介质层和控制栅的层叠结构，且其中，所述第一漏极选择线在与所述第一区域之中的奇数编号的第一区域的交叉处去除了所述栅间电介质层的部分，所述第二漏极选择线在与所述第一区域之中的偶数编号的第一区域的交叉处去除了所述栅间电介质层的部分。