一种半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件的制造方法，包括在半导体衬底上形成用于容置锗硅层的凹槽的步骤，所述凹槽包括Σ型凹槽以及位于所述Σ型凹槽底部且凹陷入所述半导体衬底的至少一个台阶。本发明的半导体器件，包括半导体衬底和位于其上的PMOS，该PMOS的栅极结构两侧的半导体衬底上形成有Σ型凹槽，所述Σ型凹槽底部具有凹陷入所述半导体衬底的至少一个台阶，所述Σ型凹槽和所述凹陷入所述半导体衬底的至少一个台阶内形成有锗硅层。该制造方法通过将凹槽形状改变为底部具有台阶的Σ型，克服了锗硅堆叠不理想的问题，提高了器件性能。本发明的半导体器件，同样具有上述优点。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括在半导体衬底上形成用于容置锗硅层的凹槽的步骤，所述凹槽包括Σ型凹槽以及位于所述Σ型凹槽底部且凹陷入所述半导体衬底的至少一个台阶，其中，所述方法包括如下步骤：步骤S101：提供包括PMOS的栅极结构的半导体衬底，刻蚀所述半导体衬底以在所述PMOS的栅极结构的两侧形成Σ型凹槽；步骤S102：在所述Σ型凹槽内填充第一牺牲材料层，在所述PMOS的栅极结构的外侧形成第一间隔层；步骤S103：以所述第一间隔层为掩膜对所述第一牺牲材料层以及位于其下方的所述半导体衬底进行刻蚀，在所述第一牺牲材料层和所述半导体衬底内刻蚀出第一柱状空腔，以在所述Σ型凹槽的底部形成凹陷入所述半导体衬底的第一台阶。