半导体装置及其形成方法

摘要

露系关于一种半导体装置与半导体装置之形成方法。半导体装置包括一半导体基底，以及复数隔离区域延伸进入半导体基底。一半导体鳍部位于隔离区域的相对部分之间，其中半导体鳍部系位于隔离区域的上表面上。一闸极堆叠与半导体鳍部重叠。一源极/汲极区域，位于闸极堆叠的一侧边上并连接至半导体鳍部。源极/汲极区域包括一内部，薄于半导体鳍部，以及一外部，位于内部之外侧。半导体鳍部以及源极/汲极区域的内部具有相同的四族半导体成份。

主权项

一种半导体装置，包括：一半导体基底；复数隔离区域，延伸进入该半导体基底；一半导体鳍部，位于该等隔离区域的相对部分之间，其中该半导体鳍部系位于该等隔离区域的上表面上；一闸极堆叠，与该半导体鳍部重叠；以及一源极/汲极区域，位于该闸极堆叠的一侧并连接至该半导体鳍部，其中该源极/汲极区域包括：一内部，薄于该半导体鳍部，其中该半导体鳍部以及该源极/汲极区域的该内部具有相同的四族半导体成份；以及一外部，位于该内部之外侧。