| 发明名称 | 一种太阳能电池及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种太阳能电池，包括：N型黑硅衬底(3)、位于N型黑硅衬底(3)之下的第一Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜(2)、位于N型黑硅衬底(3)之上的第二Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜(4)以及位于第二Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜(4)之上的空穴输运层(5)。本发明还提供了一种太阳能电池的制备方法。本发明在黑硅的正面和背面沉积Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜，有效地钝化了黑硅表面，降低了表面复合，增加了电池的开路电压。采用过渡金属氧化物作为空穴输运层，方法简单，降低了生产成本，适合大面积制备。 | ||
| 申请公布号 | CN105449018A | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201410418499.8 | 申请日期 | 2014.08.22 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 陈伟;刘尧平;杨丽霞;王燕;梁会力;梅增霞;杜小龙 |
| 分类号 | H01L31/0256(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0256(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人 | 王勇;王博 |
| 主权项 | 一种太阳能电池，包括：N型黑硅衬底(3)、位于N型黑硅衬底(3)之下的第一Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜(2)、位于N型黑硅衬底(3)之上的第二Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜(4)以及位于第二Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜(4)之上的空穴输运层(5)。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村南三街8号 | ||