| 发明名称 | 单晶硅晶片的热氧化膜形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明是一种单晶硅晶片的热氧化膜形成方法，其是在单晶硅晶片上形成热氧化膜的方法，其是将前述单晶硅晶片投入至热处理炉内，升温至形成热氧化膜的温度T1，以便形成厚度d1的热氧化膜，然后，在降温至低于前述温度T1的温度后，升温至高于前述温度T1的温度T2，以便追加形成厚度大于前述厚度d1的厚度d2的热氧化膜。由此，提供一种热氧化膜的形成方法，其可以防止尤其是当形成较厚的热氧化膜时所发生的对晶片舟的贴附，并抑制热氧化膜形成中的单晶硅晶片的滑移位错和裂纹等的发生。 | ||
| 申请公布号 | CN103262222B | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201180054251.2 | 申请日期 | 2011.10.06 |
| 申请人 | 信越半导体股份有限公司 | 发明人 | 高桥博幸;吉田和彦 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张永康;向勇 |
| 主权项 | 一种单晶硅晶片的热氧化膜形成方法，其是在单晶硅晶片上形成热氧化膜的方法，其特征在于，前述方法至少包含：将前述单晶硅晶片投入至热处理炉内，升温至形成热氧化膜的温度T1，以便形成500nm以上的厚度d1的热氧化膜，然后，在降温至低于前述温度T1的温度后，升温至高于前述温度T1的温度T2，以便追加形成厚度大于前述厚度d1的厚度d2的热氧化膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||