第III族氮化物半导体的制造方法和第III族氮化物半导体

摘要

本发明涉及第III族氮化物半导体的制造方法和第III族氮化物半导体。所述用于制造第III族氮化物半导体的方法包括：在衬底的主表面上形成凸台；以及沿着第III族氮化物半导体的c轴方向生长第III族氮化物半导体，其中在生长的第III族氮化物半导体的低指数面中与凸台或凹部的侧表面最平行的面是m面(1-100)，以及在将通过使加工的侧表面的法向矢量正交投影至主表面所获得的投影矢量定义为侧面矢量时，在侧面矢量与通过将生长的第III族氮化物半导体的m面的法向矢量正交投影至主表面所获得的投影矢量之间的角为0.5°以上且6°以下。

主权项

一种用于制造第III族氮化物半导体的方法，所述方法包括：在衬底的主表面上形成凸台和凹部；以及在所述凸台的顶表面和所述凹部的底表面上沿着第III族氮化物半导体的c轴方向生长所述第III族氮化物半导体，其中所述凸台和所述凹部的侧表面形成为满足以下条件：在所生长的第III族氮化物半导体的低指数面中与所述侧表面最平行的面是m面(1‑100)；以及在将通过使所述侧表面的法向矢量正交投影至所述主表面所获得的投影矢量定义为侧面矢量时，由所述侧面矢量与通过将所生长的第III族氮化物半导体的所述m面的法向矢量正交投影至所述主表面所获得的投影矢量形成的角为0.5°以上且6°以下。