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Halbleitervorrichtung (30), die folgendes aufweist: – ein Halbleiterelement (1a); – einen mit dem Halbleiterelement (1a) verbundenen Leiterrahmen (4a); – eine über eine erste Isolierschicht (5) auf dem Leiterrahmen (4a) befestigte Metall-Grundplatte (6); und – eine auf der der Seite der Metall-Grundplatte (6), auf welcher die erste Isolierschicht (5) angeordnet ist, entgegengesetzten Seite angeordnete zweite Isolierschicht (7); – wobei eine Kombination aus der ersten Isolierschicht (5) und der zweiten Isolierschicht (7) in einem ersten Fall folgendes aufweist: die erste Isolierschicht (5) ist eine Isolierschicht, deren Wärmeabführungsvermögen höher als das der zweiten Isolierschicht (7) ist, und die zweite Isolierschicht (7) ist eine Isolierschicht, deren Isolationsvermögen gleich demjenigen der ersten Isolierschicht (5) oder höher als das der ersten Isolierschicht (5) ist; – wobei eine andere Kombination aus der ersten Isolierschicht (5) und der zweiten Isolierschicht (7) in einem zweiten Fall folgendes aufweist: die zweite Isolierschicht (7) ist eine Isolierschicht, deren Isolationsvermögen höher als das der ersten Isolierschicht (5) ist, und die erste Isolierschicht (5) ist eine Isolierschicht, deren Wärmeabführungsvermögen gleich demjenigen der zweiten Isolierschicht (7) oder höher als das der zweiten Isolierschicht (7) ist, wobei die erste Isolierschicht (5) und die zweite Isolierschicht (7) einen Füllstoff enthalten und wobei die relative Dielektrizitätskonstante des Füllstoffs der ersten Isolierschicht (5) höher als diejenige des Füllstoffs der zweiten Isolierschicht (7) ist. |
