发明名称 多平面线圈阵列中枢神经弱磁刺激系统
摘要 本发明提出一种多平面线圈阵列中枢神经弱磁刺激系统,该系统的PC监控平台与单线圈电流控制系统以及多线圈组合控制系统相互连接,单线圈电流控制系统和多线圈组合控制系统分别与多平面线圈阵列刺激源相互连接。本发明的效果是解决了传统经颅磁刺激以及重复经颅磁刺激所表现的矛盾性问题。该多平面线圈阵列中枢神经弱磁刺激系统可以消除刺激过程中被试者和受试者对刺激安全性的担忧,同时本系统能够针对不同被试者以及不同刺激目标优化设计并实现最优的刺激分布。
申请公布号 CN105079966A 申请公布日期 2015.11.25
申请号 CN201410766207.X 申请日期 2014.12.11
申请人 天津大学 发明人 王江;李彬;魏熙乐;邓斌;于海涛;张镇;李会艳
分类号 A61N2/04(2006.01)I;A61B5/05(2006.01)I 主分类号 A61N2/04(2006.01)I
代理机构 天津才智专利商标代理有限公司 12108 代理人 吕志英
主权项 一种多平面线圈阵列中枢神经弱磁刺激系统,其特征是:该系统包括有PC监控平台(5)、单线圈电流控制系统(2)、多线圈组合控制系统(3)以及多平面线圈阵列刺激源(4),PC监控平台(5)与单线圈电流控制系统(2)以及多线圈组合控制系统(3)相互连接,单线圈电流控制系统(2)和多线圈组合控制系统(3)分别与多平面线圈阵列刺激源(4)相互连接;所述PC监控平台(5)接收单线圈电流控制系统(2)电流信息,接收多线圈组合控制系统(3)磁场信息,通过PC监控平台(5)进行显示;所述多平面线圈阵列刺激源(4)接收多线圈组合控制系统(3)以及单线圈电流控制系统(2)输入的激励电流按照电磁感应原理对目标产生刺激。
地址 300072 天津市南开区卫津路92号