氮化镓基低漏电流固支梁开关或非门的RS触发器

摘要

氮化镓基低漏电流固支梁开关MESFET或非门的RS触发器由第一固支梁栅NMOS管(1)、第二固支梁栅NMOS管(2)、第三固支梁栅NMOS管(3)、第四固支梁栅NMOS管(4)组成的第一或非门(G1)、第二或非门(G2)，每一个固支梁栅NMOS管分别由栅极(8)、源极和漏极构成，当加载在固支梁开关与下拉电极之间的电压大于MESFET的阈值电压时，固支梁开关下拉与栅极紧贴,N型MESFET的耗尽区厚度减小并导通，在此基础上实现对输入信号的或非逻辑；当固支梁开关与下拉电极之间所加电压小于MESFET的阈值电压时，固支梁开关就不能下拉，其栅极上就不存在电压，所以该N型MESFET就不能导通，那么栅极漏电流就不会存在，这样就减小了RS触发器的功耗。

主权项

一种氮化镓基低漏电流固支梁开关或非门的RS触发器，其特征在于该RS触发器由第一固支梁栅NMOS管（1）、第二固支梁栅NMOS管（2）、第三固支梁栅NMOS管（3）、第四固支梁栅NMOS管（4）组成的第一或非门（G1）、第二或非门（G2），每一个固支梁栅NMOS管分别由栅极（8）、源极和漏极构成，其中源极和漏极由金属和重掺杂N区形成欧姆接触构成，栅极由金属和沟道区形成肖特基接触构成，该RS触发器的四个固支梁栅NMOS管制作在氮化镓衬底（13）上，在栅极（8）上方悬浮着固支梁开关（7），固支梁开关（7）的两端分别固定在两个锚区（9）上，输入的数字信号加载在固支梁开关（7）上，该固支梁开关（7）由钛/金/钛组成，在固支梁开关（7）与衬底（13）之间存在下拉电极（12），下拉电极（12）由氮化硅材料覆盖；其中第一或非门（G1）的输出端通过导线与第二或非门（G2）的一个输入端相接，同样第二或非门（G2）的输出端也通过导线与第一或非门（G1）的一个输入端相连接，形成完全对称的结构；该RS触发器有两个输入端分别是SD和RD，以及两个输出端Q和Q'，SD和RD分别是两个或非门中没有与输出端相连接的那个输入端，Q和Q'则仍然是由两个或非门的输出端直接构成。