发明名称 一种利用电池内阻对电池进行加热的温控装置
摘要 本发明公开了一种利用电池内阻对电池进行加热的温控装置,涉及蓄电池技术领域,包括:温度传感器,用于采集电池本体的温度信息;逻辑控制电路,用于接收温度信息,根据温度信息的大小进行逻辑分析判断,并做出控制指令输出;MOS驱动电路,用于接收控制指令输出,根据控制指令输出实现驱动信号的输出;以及功率半桥电路,用于接收驱动信号,并根据驱动信号实现对电池自身温度的控制。通过采用上述技术方案,本发明利用蓄电池本身的内阻,同时结合外界的环境温度对蓄电池的温度进行智能化调节,从而使得蓄电池处于一种理想的工作温度,因此可以很好地保证蓄电池的充电和放电过程更加充分,同时,延长了蓄电池的使用寿命,增加了蓄电池的安全性能。
申请公布号 CN103346364B 申请公布日期 2015.07.29
申请号 CN201310276105.5 申请日期 2013.07.03
申请人 天津雅迪实业有限公司 发明人 刘延海;李华
分类号 H01M10/615(2014.01)I;H01M10/63(2014.01)I;H01M10/657(2014.01)I 主分类号 H01M10/615(2014.01)I
代理机构 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 代理人 郑乘澄
主权项 一种利用电池内阻对电池进行加热的温控装置,其特征在于:包括:温度传感器,用于采集电池本体的温度信息;逻辑控制电路,用于接收所述温度信息,根据所述温度信息的大小进行逻辑分析判断,并做出控制指令输出;所述逻辑控制电路为单片机,所述单片机的模数转换模块与所述温度传感器电连接,所述单片机利用自身的定时器产生PWM信号,当所述温度信息不大于预设值时,单片机将PWM信号发送给MOS驱动电路,当所述温度信息大于预设值时,单片机停止将PWM信号发送给MOS驱动电路;MOS驱动电路,用于接收所述控制指令输出,根据所述控制指令输出实现驱动信号的输出;所述MOS驱动电路为半桥驱动芯片IR2102;以及功率半桥电路,用于接收所述驱动信号,并根据驱动信号实现对电池自身温度的控制;所述功率半桥电路包括MOSFET场效应管Q1、MOSFET场效应管Q2、二极管D1、二极管D2、以及电感L1;其中:所述MOSFET场效应管Q1和MOSFET场效应管Q2为N沟道增强型场效应管,电池的负极通过二极管D1与MOSFET场效应管Q1的源极电连接,MOSFET场效应管Q1的漏极与电池的正极电连接;电池的负极与MOSFET场效应管Q2的源极电连接,MOSFET场效应管Q2的漏极通过二极管D2与电池的正极电连接;MOSFET场效应管Q2的漏极通过电感L1与MOSFET场效应管Q1的源极电连接;MOSFET场效应管Q1的栅极与MOS驱动电路的高电平输出端子电连接,MOSFET场效应管Q2的栅极与MOS驱动电路的低电平输出端子电连接。
地址 300401 天津市北辰区双口镇