| 摘要 |
【課題】Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ化合物膜（ＣＩＧＳ溝膜）型太陽電池の光吸収層のためのＣＩＧＳ膜の形成に使用する高濃度のＧａ成分を有するＣｕ−Ｇａ合金焼結体によるスパッタリングターゲットに関して、パーティクル発生を低減でき、酸素含有量を更に低減可能であると共に、高濃度のＮａを含有しつつも、異常放電を一層抑制したスパッタリングターゲット及びその製造方法の提供。【解決手段】Ｇａ：２９．５〜４３．０原子％と、残部：Ｃｕ及び不可避不純物との組成を有する焼成体であって、該焼成体におけるＣｕ−Ｇａ合金結晶粒は、γ相粒子がγ１相結晶粒中に分散した平均粒径が、１５．０〜７５．０μｍである組織を有するＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲット。前記焼成体の酸素量が２００質量ｐｐｍ以下であり、更にＮａが０．０５〜１０．０原子％を含有し、Ｎａ化合物相として分散しているＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲット。【選択図】なし |
