一种半导体器件的制作方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件的制作方法，包括以下步骤：在所述半导体衬底上形成第一虚设栅极和第二虚设栅极后，形成源区、漏区以及第一应力衬垫层和第二应力衬垫层；沉积氧化层，氧化层的厚度大于两个所述虚设栅极的高度；进行第一次化学机械研磨；再进行刻蚀工艺，刻蚀结束后，所述氧化层高于等于所述第一虚设栅极、第二虚设栅极的高度；从而避免后续形成栅极时，金属或金属硅化物填充进凹槽区域，影响工艺制程，另采用简单的工艺流程优化，避免了在第一次化学机械研磨时需要同时除去氧化层和应力沉淀层，减少了CMP的工作压力，而且用速度更快成本更低的刻蚀方法更为有效地降低了成本，提高工作效率。

主权项

一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上包括第一区、第二区以及所述第一区和第二区之间的元件隔离区；在所述第一区上形成第一虚设栅极，在所述第二区上形成第二虚设栅极；在所述第一区和第二区同时形成源区、漏区，并对所述源区、漏区进行金属化制程；在所述第一区和第二区表面分别形成第一应力衬垫层、第二应力衬垫层；在所述半导体衬底表面沉积氧化层，所述氧化层的厚度大于等于所述第一虚设栅极、第二虚设栅极的高度；进行第一次化学机械研磨，停止于所述第一应力衬垫层、第二应力衬垫层上表面；刻蚀所述第一应力衬垫层、第二应力衬垫层及所述氧化层，直至露出所述第一虚设栅极、第二虚设栅极上表面，刻蚀方法为干法刻蚀或湿法刻蚀，所述干法刻蚀采用三氟化氮等离子体刻蚀法，所述湿法刻蚀采用酸刻蚀法，刻蚀结束后，所述氧化层高于等于所述第一虚设栅极、第二虚设栅极的高度；去除所述第一虚设栅极、第二虚设栅极，形成第一栅槽、第二栅槽；在所述第一栅槽中形成第一栅极、在所述第二栅槽中形成第二栅极。