发明名称 全新光敏高温熔体压力传感器接收LED晶片
摘要 本发明全新光敏高温熔体压力传感器接收LED晶片发光面是圆盖形状的,光分布是很特殊的,所以在不同的测量距离下,光强值会变化,偏离距离平方反比定律,即使固定了测量距离,但是由于接受器接受面积不同,其光强值也会变化。因此,为了提高测量精度,应该把测量距离和接受面积大小相对地给予固定为好。例如,测量距离按照GIE推荐采用316mm,接受器面积固定为10×10mm。在同一测量距离下,LED转角不同,其光强也相应地有变化,因此为了获得最佳值,最好读出最大读数Rt为佳。
申请公布号 CN104716235A 申请公布日期 2015.06.17
申请号 CN201310673764.2 申请日期 2013.12.12
申请人 上海雷盘电子科技有限公司 发明人 周晓蕾
分类号 H01L33/00(2010.01)I;H01L29/861(2006.01)I 主分类号 H01L33/00(2010.01)I
代理机构 代理人
主权项 全新光敏高温熔体压力传感器接收LED晶片用于自动频率控制(AFC)和调谐用的小功率二极管称变容二极管;日本厂商方面也有其它许多叫法;通过施加反向电压, ;使其PN结的静电容量发生变化;因此,被使用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途;通常,虽然是采用硅的扩散型二极管,但是也可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二极管,因为这些二极管对于电压而言,其静电容量的变化率特别大;结电容随反向电压VR变化,取代可变电容,用作调谐回路、振荡电路、锁相环路,常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路,多以硅材料制作;对二极管的频率倍增作用而言,有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃(即急变)二极管的频率倍增;频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器,可变电抗器虽然和自动频率控制用的变容二极管的工作原理相同,但电抗器的构造却能承受大功率;阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管,从导通切换到关闭时的反向恢复时间trr短,因此,其特长是急速地变成关闭的转移时间显着地短;如果对阶跃二极管施加正弦波,那么,因tt(转移时间)短,所以输出波形急骤地被夹断,故能产生很多高频谐波;是代替稳压电子二极管的产品;被制作成为硅的扩散型或合金型;是反向击穿特性曲线急骤变化的二极管;作为控制电压和标准电压使用而制作的;二极管工作时的端电压(又称齐纳电压)从3V左右到150V,按每隔10%,能划分成许多等级;在功率方面,也有从200mW至100W以上的产品;工作在反向击穿状态,硅材料制作,动态电阻RZ很小,一般为2CW型;将两个互补二极管反向串接以减少温度系数则为2DW型;.PIN型二极管(PIN Diode)这是在P区和N区之间夹一层本征半导体(或低浓度杂质的半导体)构造的晶体二极管;PIN中的I是"本征"意义的英文略语;当其工作频率超过100MHz时,由于少数载流子的存贮效应和"本征"层中的渡越时间效应,其二极管失去整流作用而变成阻抗元件,并且,其阻抗值随偏置电压而改变;在零偏置或直流反向偏置时,"本征"区的阻抗很高;在直流正向偏置时,由于载流子注入"本征"区,而使"本征"区呈现出低阻抗状态;因此,可以把PIN二极管作为可变阻抗元件使用;它常被应用于高频开关(即微波开关)、移相、调制、限幅等电路中;雪崩二极管它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管;产生高频振荡的工作原理是栾的:利用雪崩击穿对晶体注入载流子,因载流子渡越晶片需要一定的时间,所以其电流滞后于电压,出现延迟时间,若适当地控制渡越时间,那么,在电流和电压关系上就会出现负阻效应,从而产生高频振荡;它常被应用于微波领域的振荡电路中;它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管;其基底材料是砷化镓和锗;其P型区的N型区是高掺杂的(即高浓度杂质的);隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生;发生隧道效应具备如下三个条件:①费米能级位于导带和满带内;②空间电荷层宽度必须很窄(0.01微米以下);简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性;江崎二极管为双端子有源器件;其主要参数有峰谷电流比(IP/PV),其中,下标"P"代表"峰";而下标"V"代表"谷";江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中(其工作频率可达毫米波段),也可以被应用于高速开关电路中;快速关断(阶跃恢复)它也是一种具有PN结的二极管;其结构上的特点是:在PN结边界处具有陡峭的杂质分布区,从而形成"自助电场";由于PN结在正向偏压下,以少数载流子导电,并在PN结附近具有电荷存贮效应,使其反向电流需要经历一个"存贮时间"后才能降至最小值(反向饱和电流值);阶跃恢复二极管的"自助电场"缩短了存贮时间,使反向电流快速截止,并产生丰富的谐波分量;利用这些谐波分量可设计出梳状频谱发生电路;快速关断(阶跃恢复)二极管用于脉冲和高次谐波电路中;肖特基二极管 ;  二极管电路它是具有肖特基特性的"金属半导体结"的二极管;其正向起始电压较低;其金属层除材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料;其半导体材料采用硅或砷化镓,多为N型半导体;这种器件是由多数载流子导电的,所以,其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多;由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响仅为RC时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件;其工作频率可达100GHz;并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
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