发明名称 |
功率半导体装置 |
摘要 |
本发明涉及并联驱动三个以上的功率半导体元件来进行功率转换的功率半导体装置,其目的在于降低施加于各功率半导体元件的端子间的电压的偏差,提高功率半导体元件的寿命、功率半导体装置的可靠性。为了达到该目的,本发明包括:并列搭载在金属布线(4)上的三个以上的功率半导体元件(701~704);与金属布线(4)不同的金属布线(5),功率半导体元件的一个端子与布线(4)相连接,另一个端子与布线(5)相连接,在该功率半导体装置中,搭载有功率半导体元件(701~704)的区域的金属布线(4)的电阻值在电流的流动方向的下游侧比上游侧大。 |
申请公布号 |
CN104380462A |
申请公布日期 |
2015.02.25 |
申请号 |
CN201380028042.X |
申请日期 |
2013.04.09 |
申请人 |
松下知识产权经营株式会社 |
发明人 |
冈山芳央 |
分类号 |
H01L25/07(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L25/18(2006.01)I;H02M7/48(2007.01)I |
主分类号 |
H01L25/07(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
俞丹 |
主权项 |
一种功率半导体装置,其特征在于,包括:第一金属布线,该第一金属布线与第一外部连接端子相连接;第二金属布线,该第二金属布线与第二外部连接端子相连接;第三金属布线,该第三金属布线与第三外部连接端子相连接;第一功率半导体元件组,该第一功率半导体元件组包含安装于所述第一金属布线上的三个以上的第一功率半导体元件;以及第二功率半导体元件组,该第二功率半导体元件组包含与安装于所述第二金属布线上的所述第一功率半导体元件个数相同的第二功率半导体元件,所述第一功率半导体元件所具有的电极通过第一导电构件与所述第二金属布线相连接,且所述第二功率半导体元件所具有的电极通过第二导电构件与所述第三金属布线相连接,所述第一金属布线、及所述第二金属布线中安装有所述第一功率半导体元件组或所述第二功率半导体元件组的区域的电阻值在电流的流动方向的下游侧大于上游侧,或者所述第二金属布线及所述第三金属布线中连接有所述第一导电构件或所述第二导电构件的区域的电阻值在所述电流的流动方向的下游侧小于上游侧。 |
地址 |
日本大阪府 |