发明名称 半导体装置以及测量方法
摘要 本发明提供一种能够在较宽范围内高精度地进行测量的半导体装置以及测量方法。这样,在本实施方式的半导体装置(10)中,首先,判定基准振荡与热敏电阻振荡哪个较快,以基准振荡以及热敏电阻振荡的任一较快的一方为基准,对基于另一方的振荡的计数值进行测量。并且,将基于较高的一方的振荡的计数作为基准值,将基于对基准值进行计数时的另一方的振荡的计数值作为测量值。基于基准值和测量值来计算频率比,并基于计算出的频率比,参照表示频率比与温度的对应关系的表来获取温度。
申请公布号 CN104075821A 申请公布日期 2014.10.01
申请号 CN201410095488.0 申请日期 2014.03.14
申请人 拉碧斯半导体株式会社 发明人 岩佐洋助
分类号 G01K7/00(2006.01)I;G01K7/22(2006.01)I 主分类号 G01K7/00(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 舒艳君;李洋
主权项 一种半导体装置,其特征在于,具备:第1计数器,其基于第1频率的信号来进行计数动作;第2计数器,其基于第2频率的信号来进行计数动作;以及控制部,所述控制部根据所述第1计数器的计数值和所述第2计数器的计数值来判定所述第1频率和所述第2频率哪个较高,并以较高的一方的频率为基准来测量另一方的频率,从而计算频率比,所述控制部参照表示所述频率比与测量值的对应关系的规定的表来获取测量值。
地址 日本神奈川县