芯片叠层结构及其制造方法

摘要

本发明涉及芯片叠层结构及其制造方法。其中所述芯片叠层结构包括具有下表面的顶部芯片、覆盖在该上部芯片的下表面上的第一绝缘层、具有上表面的底部芯片、覆盖在该底部芯片的上表面上的第二绝缘层、位于所述顶部芯片和所述底部芯片之间的多个连接构件以及位于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间的保护材料。所述多个连接构件用于将该顶部芯片和该底部芯片通信连接。所述保护材料连接所述多个连接构件以在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间形成网状结构。本发明的结构和方法至少提供了更高的强度和应力缓冲以抵抗芯片翘曲和吸收热循环应力，从而能防止热应力或者外部的机械应力导致该芯片叠层结构中凸点或者介电材料的破裂。

主权项

一种芯片叠层结构，包括：具有下表面的顶部芯片；覆盖在该顶部芯片的下表面上的第一绝缘层；具有上表面的底部芯片；覆盖在该底部芯片的上表面上的第二绝缘层；多个连接构件，其位于所述顶部芯片和所述底部芯片之间以用于将该顶部芯片和该底部芯片通信连接；以及保护材料，其位于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间，其中，所述保护材料连接所述多个连接构件以在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间形成网状结构。