背面穿硅通孔与金属连线制法、和背面用的光掩模制法

摘要

本发明涉及背面穿硅通孔与金属连线制法、和背面用的光掩模制法。背面穿硅通孔与金属连线制法包括：将具有穿孔中间制作技术制得的穿硅通孔的半导体基板的正面形成一凸块并与载板结合、将半导体基板的背面薄化以露出穿硅通孔、于半导体基板的背面涂布光敏性介电层、将光敏性介电层图案化而具有开口露出穿硅通孔、形成凸块下金属层、于凸块下金属层上形成金属层、形成背面金属连线层图案、移除多余的凸块下金属层、以及将半导体基板与载板分开。将光敏性介电层图案化以具有开口露出穿硅通孔的方式，可经由利用背面用的光掩模达成。背面用的光掩模的穿硅通孔位置相关图案可经由利用半导体基板正面图案的镜像来获得。工艺处理温度低，整体工艺便利。

主权项

一种制造背面穿硅通孔与金属连线的方法，其特征在于：进行一穿孔中间制作工艺以于一半导体基板中形成一穿硅通孔结构；于该半导体基板的正面形成一凸块；将该半导体基板与一载板结合；将该半导体基板的背面薄化以露出该穿硅通孔结构；于该半导体基板的背面涂布一光敏性介电层；将该光敏性介电层图案化而形成一开口而露出该穿硅通孔结构；形成一凸块下金属层；于该凸块下金属层上形成一金属层，填满该开口并覆盖于该光敏性介电层上方；将该金属层图案化形成一背面金属连线；移除多余的该凸块下金属层；以及将该半导体基板与该载板分开。