发明名称 |
一种SOI半导体氧化物晶体管及其制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种SOI半导体氧化物晶体管及其制作方法。该制作方法,包括:A)提供半导体衬底,所述半导体衬底包括埋氧化层和位于所述埋氧化层上的硅层;B)在所述半导体衬底上形成栅极,且在所述栅极两侧的所述硅层中形成浅掺杂区;C)在所述栅极两侧的所述半导体衬底上形成L形间隙壁;以及D)在所述栅极两侧形成覆盖部分所述L形间隙壁抬升的源极和漏极。本发明的方法通过栅极两侧形成L形间隙壁来阻挡金属向浅掺杂区和栅极区域扩散,以避免较高的结泄露以及桥连现象的出现,进而保证该SOI半导体氧化物晶体管的稳定性。 |
申请公布号 |
CN103779214A |
申请公布日期 |
2014.05.07 |
申请号 |
CN201210398041.1 |
申请日期 |
2012.10.18 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
刘金华 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京市磐华律师事务所 11336 |
代理人 |
高伟;付伟佳 |
主权项 |
一种SOI半导体氧化物晶体管的制作方法,包括:A)提供半导体衬底,所述半导体衬底包括埋氧化层和位于所述埋氧化层上的硅层;B)在所述半导体衬底上形成栅极,且在所述栅极两侧的所述硅层中形成浅掺杂区;C)在所述栅极两侧的所述半导体衬底上形成L形间隙壁;以及D)在所述栅极两侧形成覆盖部分所述L形间隙壁抬升的源极和漏极。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |