| 发明名称 | 具有改善的产量的制造较高硅烷的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于制造六氯乙硅烷或Ge2Cl6的一种方法，其特征在于，在含有SiCl4或GeCl4的气体中，a)借助频率为f的交流电压来生成非热等离子，并且其中在该等离子中耦合输入具有重复率为g的至少一个电磁脉冲，其电压分量具有在上升边缘中的10Vns-1至1kVns-1的边缘陡度和500ns至100µs的脉冲宽度b，其中获得一种液相，以及b)从该液相中获得纯的六氯乙硅烷或Ge2Cl6。 | ||
| 申请公布号 | CN103648981A | 申请公布日期 | 2014.03.19 |
| 申请号 | CN201280034284.5 | 申请日期 | 2012.05.15 |
| 申请人 | 赢创德固赛有限公司 | 发明人 | J.E.朗;H.劳莱德;E.米 |
| 分类号 | C01B33/107(2006.01)I;C01G17/04(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/107(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 张涛;胡莉莉 |
| 主权项 | 用于制造六氯乙硅烷或Ge2Cl6的方法，其特征在于，在含有SiCl4或GeCl4的气体中，a) 借助频率为f的交流电压来激励非热等离子，并且其中 在该等离子中耦合输入具有重复率为g的至少一个电磁脉冲， 该至少一个电磁脉冲的电压分量具有在上升边缘中的10V ns‑1至1kV ns‑1的边缘陡度和500ns至100µs的脉冲宽度b， 其中获得一种液相，以及b)从该液相中获得纯的六氯乙硅烷或Ge2Cl6。 | ||
| 地址 | 德国埃森 | ||