Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor

摘要

Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor (1) que tiene una cara delantera (3) formada con un dispositivo funcional a lo largo de una línea de corte (5), comprendiendo el procedimiento las etapas de: irradiar el sustrato semiconductor (1) con luz láser mientras se usa una cara trasera (17) del sustrato semiconductor (1) como una superficie de entrada de luz láser y se ubica un punto de convergencia de la luz dentro del sustrato semiconductor (1), con el fin de formar una región modificada, y hacer que la región modificada forme una región de inicio de corte dentro del sustrato semiconductor (1) dentro de la superficie de entrada de la luz láser a una distancia predeterminada a lo largo de la línea de corte; pegar un elemento de sujeción expansible a la cara trasera del sustrato semiconductor (1) por medio de una capa de resina de pegado de plaquetas (23) después de formar la región de inicio de corte; expandir el elemento de sujeción después de pegar el miembro de sujeción, con el fin de cortar el sustrato semiconductor (1) y la capa de resina de pegado de plaquetas (23) a lo largo de la línea de corte (5), caracterizado por el hecho de que el elemento de sujeción expansible comprende una película expansible (221), una capa de resina curable por radiación UV (22) provista sobre la película expansible y una capa de resina de pegado de plaquetas provista sobre la capa de resina curable por radiación UV (22); el sustrato semiconductor (1) es pegado a la capa de resina de pegado de plaquetas; y la capa de resina de pegado de plaquetas se divide (23) para ser cortada a lo largo de la región de inicio de corte.