超薄SOI半导体器件制造方法及超薄SOI半导体器件

摘要

本发明公开了一种超薄SOI半导体器件制造方法以及采用该方法制成的超薄SOI半导体器件，该方法包括：提供超薄SOI衬底；在所述超薄SOI衬底上形成栅介质层、栅极和偏移侧墙；对所述偏移侧墙外侧的顶层衬底进行第一次外延生长；对所述偏移侧墙外侧的顶层衬底进行轻掺杂以形成轻掺杂漏LDD区；在所述偏移侧墙外侧形成主侧墙；对所述主侧墙外侧的顶层衬底进行第二次外延生长；对所述主侧墙外侧的顶层衬底进行重掺杂以形成抬升源/漏极区。经过该方法制成的超薄SOI半导体器件，降低了主侧墙底部的抬升源/漏极区部分的电阻，同时降低了抬升源/漏极区和栅极之间的电容；本发明实现了同时具有较低电阻和较低电容的新型超薄SOI半导体器件，进而从整体上提升了超薄SOI半导体器件的性能。

主权项

一种超薄SOI半导体器件制造方法，包括：提供超薄SOI衬底，包括衬底绝缘层和位于衬底绝缘层之上的顶层衬底；在所述超薄SOI衬底上形成栅介质层、栅极和偏移侧墙；对所述偏移侧墙外侧的顶层衬底进行第一次外延生长，以使得所述偏移侧墙外侧的顶层衬底表面高于栅介质层底部的顶层衬底；对所述偏移侧墙外侧的顶层衬底进行轻掺杂以形成轻掺杂漏LDD区；在所述偏移侧墙外侧形成主侧墙，所述主侧墙的底部位于偏移侧墙外侧的顶层衬底之上使得所述主侧墙的底部高于栅介质层底部的顶层衬底；对所述主侧墙外侧的顶层衬底进行第二次外延生长，以使得主侧墙的底部低于所述主侧墙外侧的顶层衬底表面；对所述主侧墙外侧的顶层衬底进行重掺杂以形成抬升源/漏极区。