| 发明名称 | 一种附磷涂硼工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种附磷涂硼工艺，包括磷扩散步骤和硼扩散步骤，其特征在于：磷扩散和硼扩散采用以下步骤完成：步骤1：在晶片表面附磷纸，进行磷扩散；步骤2：在晶片表面涂硼液，再进行硼扩散。本发明用于半导体制造的扩散工艺，工艺操作简单，磷、硼扩散均匀，良品率高，节省材料，生产成本低。 | ||
| 申请公布号 | CN103227105A | 申请公布日期 | 2013.07.31 |
| 申请号 | CN201310107237.5 | 申请日期 | 2013.03.29 |
| 申请人 | 昆山东日半导体有限公司 | 发明人 | 张仓生 |
| 分类号 | H01L21/22(2006.01)I;H01L21/228(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人 | 董建林;郭晓敏 |
| 主权项 | 一种附磷涂硼工艺，包括磷扩散步骤和硼扩散步骤，其特征在于：磷扩散和硼扩散采用以下步骤完成：步骤1：在晶片表面附磷纸，进行磷扩散；步骤2：在晶片表面涂硼液，再进行硼扩散。 | ||
| 地址 | 215332 江苏省苏州市昆山市花桥经济开发区花安路1758号 | ||