| 发明名称 | 具有氮化镓基薄层半导体器件的LED元件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种LED模块，其具有包括有源氮化镓层(2)的LED芯片(1)和其上安置有该LED芯片(1)的硅平板(3)，其中，硅平板(3)在背对LED芯片(1)的一侧(3b)具有两个电极(4a，4b)，所述两个电极(4a，4b)与该LED芯片(1)电连接，并且该LED芯片(1)的氮化镓层(2)的厚度介于2至10μm之间，优选为1至5μm，其中，所述外延的氮化镓层没有衬底层地直接设置在所述硅平板(3)的顶面(3a)上。 | ||
| 申请公布号 | CN102047451B | 申请公布日期 | 2013.05.08 |
| 申请号 | CN200980120021.4 | 申请日期 | 2009.04.24 |
| 申请人 | 莱登照明詹纳斯多夫股份公司 | 发明人 | 斯特凡·塔施 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L33/48(2006.01)I;H01L33/62(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 李辉;王伶 |
| 主权项 | 一种LED模块，其具有硅平板(3)和包括上下紧邻的外延的多层氮化镓层(2)的LED芯片(1)，该LED芯片(1)安置在该硅平板(3)上，其中所述多层氮化镓层具有至少一个n型掺杂层、一个有源层和一个p型掺杂层，所述硅平板(3)在背对所述LED芯片(1)的一侧(3b)具有两个电极(4a，4b)，所述两个电极(4a，4b)与所述LED芯片(1)电连接，并且所述LED芯片(1)的所述外延的多层氮化镓层(2)的总厚度介于1至10μm之间，其中所述硅平板(3)具有孔穴(8)，所述LED芯片(1)安置在所述孔穴(8)中，其中，所述外延的氮化镓层没有衬底层地直接设置在所述硅平板(3)的顶面(3a)上。 | ||
| 地址 | 奥地利詹纳斯多夫 | ||