| 发明名称 | 氮化硅膜的成膜方法和半导体存储装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供氮化硅膜的成膜方法和半导体存储装置的制造方法。该氮化硅膜的成膜方法利用等离子体CVD法将存在大量的阱且可用作非易失性半导体存储装置的电荷蓄积层的氮化硅膜形成。在等离子体CVD装置中使用处理气体、并将处理容器内的压力设定在0.1Pa～8Pa的范围内来进行等离子体CVD，从而将含有较多的阱的氮化硅膜形成，其中，该等离子体CVD装置利用具有多个孔的平面天线将微波导入到处理容器内而生成等离子体，从而进行成膜，该处理气体含有由硅原子及氯原子构成的化合物的气体和氮气。 | ||
| 申请公布号 | CN102549727A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201080044020.9 | 申请日期 | 2010.09.28 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 本多稔;鸿野真之;中西敏雄 |
| 分类号 | H01L21/318(2006.01)I;C23C16/42(2006.01)I;C23C16/511(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L29/788(2006.01)I;H01L29/792(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/318(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;张会华 |
| 主权项 | 一种氮化硅膜的成膜方法，其用于形成被用作半导体存储装置的电荷蓄积层的氮化硅膜，该氮化硅膜的成膜方法的特征在于，在等离子体CVD装置中使用处理气体、并将处理容器内的压力设定在0.1Pa～8Pa的范围内来进行等离子体CVD，其中，该等离子体CVD装置利用具有多个孔的平面天线向处理容器内导入微波而生成等离子体，从而进行成膜，该处理气体含有由硅原子及氯原子构成的化合物的气体和氮气。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||